In0.27Ga0.73N/GaN 다중 양자우물 구조에 대한 광전기적 특성 - koreascholar

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In0.27Ga0.73N/GaN 다중 양자우물 구조에 대한 광전기적 특성 KCI 등재 SCOPUS

Optoelectronics Properties of In0.27Ga0.73N/GaN Multi-Quantum-Well Structure

박헌보, 배인호, 김기홍

언어KOR
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한국재료학회지 (Korean Journal of Materials Research)

제17권 제9호 (2007.09)
pp.489-492

한국재료학회 (Materials Research Society Of Korea)

키워드

InGaN/GaN Multiple quantum well Electroluminescence Band-filling

저자

박헌보 | Park, Hun-Bo
배인호 | 배인호
김기홍 | 김기홍

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