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Hyflon 보호막이 용액공정으로 제작된 유기 전계-효과 트랜지스터의 전기적 안정성에 미치는 효과

Effect of Hyflon passivation layer on electrical stability of solution-processed organic field-effect transistors

  • 언어KOR
  • URLhttps://db.koreascholar.com/Article/Detail/344077
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한국화상학회지 (Journal of Korean Society for Imaging Science and Technology)
한국화상학회 (Korean Society for Imaging Science and Technology)
초록

본 연구에서는 용액 공정으로 제작된 단분자 기반의 유기 반도체 전계효과 트랜지스터에 적용된 보호막이 유기 트랜지스터의 전기적 안정성에 미치는 영향에 대해여 살펴보았다. Solvay社에서 제공한 용액 공정형 유기 단분자 반도 체를 채널로 사용하여 제작한 유기 트랜지스터는 약 1 cm2/Vs의 상대적으로 높은 이동도를 보였으며, 대략 2.5 ~ 20 k Ωcm 범위의 낮은 접촉저항을 가진 것으로 측정되었다. 무엇보다 중요한 것은, 제작한 유기 트랜지스터에 불소원자가 함유된 Hyflon AD를 보호막으로 적용하였을 때, 보호막을 적용하기 전에 비해 훨씬 더 향상된 전기적 안정성을 보였 다. 이는 불소원자가 함유된 Hyflon AD 고분자막이 대기 중의 수분을 효과적으로 차단하기 때문으로 추측된다.

In this study, we investigated the effect of a passivation layer on the electrical stability of a small-molecule- based organic field-effect transistor fabricated by a solution process. Organic transistors fabricated using the soluble organic small-molecular semiconductors provided by Solvay have relatively high mobility of about 1 cm2/Vs and have a low contact resistance in the range of about 2.5 to 20 kΩcm. Most importantly, when Hyflon AD polymer layer containing fluorine atoms is applied to the fabricated organic transistor as a passivation film, the device shows much improved electrical stability than before the passivation film is applied. This is presumably because the fluorinated Hyflon AD film effectively blocks moisture in the atmosphere.

목차
요 약
 Abstract
 1. 서 론
 2. 실 험
  2.1 샘플제작
  2.2 전기적 특성 측정
 3. 결과 및 고찰
 4. 결 론
 Acknowledgement
 References
저자
  • 이승현(전자부품 연구원 전북분원) | Seung Hyun Lee
  • 이현석(부경대학교 과학기술융합전문대학교 LED융합공학) | Hyeonseok Lee
  • 이지열(부경대학교 인쇄정보공학과) | Jiyoul Lee
  • 이범주(전자부품 연구원 전북분원) | Bum-Joo Lee