본 연구에서는 강유전성 고분자를 이용하여 제작된 100 nm 이하 두께를 가지는 박막형 커페시터의 측정 주파수에 따른 분극 반전 특성을 측정, 분석하였다. 고정된 박막 두께에 대해, 인가되는 최고 전기장의 세기가 증가할수록 더 높은 항전계에서 분극 반전이 발생되었다. 고정된 최고 전기장에 대해, 박막의 두께에 무관하게 같은 항전계에서 분극 반전이 발생되었다. 모든 측정에서 로그스케일 전기장 및 로그스케일 주파수의 관계에서 약 0.12 ± 0.01의 비례 상수를 보였다. 결과적으로, 강유전체 고분자 커페시터가 40 nm 두께까지는 size effect 없이 일정한 분극 반전 특성을 보였다. 본 연구는 저전압 동작 고분자 메모리 소자의 동작 예측에 유용할 것이므로 저전압에서 동작 가능한 고분자 메모리 소자의 가능성을 보여준다.

In this study, the polarization reversal characteristics of thin film capacitors with a thickness of 100 nm or less fabricated with ferroelectric polymer were measured and analyzed. For the fixed film thickness, polarization reversal occurred at higher coercive fields as the applied maximum electric field increased. For the fixed maximum electric field, polarization reversal occurred at the same coercive field irrespective of the thickness of the thin film. The proportional constant values between the logarithmic electric field and the logarithmic scale frequency were 0.12 ± 0.01 for all measurements. As a result, the ferroelectric polymer capacitors consistently exhibited polarization reversal characteristics without any size effects up to a thickness of 40 nm. This study shows the possibility of a polymer memory device that can operate at low voltage, which is useful for predicting the behavior of a low-voltage operating polymer memory device.

요약
 Abstract
 1. 서론
 2. 실험
 3. 결과 및 고찰
 4. 결론
 References

• 장정(제주대학교 전자공학과) | Ting Zhang (Department of Electronic Engineering, Jeju National University)
• 라흐만 셰이크 압둘(제주대학교 전자공학과) | Sheik Abdur Rahman (Department of Electronic Engineering, Jeju National University)
• 칸 세나와르 알리(제주대학교 전자공학과) | Shenawar Ali Khan (Department of Electronic Engineering, Jeju National University)
• 이광만(제주대학교 전자공학과) | Kwang-Man Lee (Department of Electronic Engineering, Jeju National University)
• 김우영(제주대학교 전자공학과) | Woo Young Kim (Department of Electronic Engineering, Jeju National University) Corresponding author