We investigated the electrochemical properties for Langmuir-Blodgett (LB) films of functionalized polyimide. LB films of polyimide monolayer were deposited by the Langmuir-Blodgett method on the indium tin oxide(ITO) glass. The electrochemical properties measured by cyclic voltammetry with a three-electrode system(an Ag/AgCl reference electrode, a platinum wire counter electrode and LB film-coated ITO working electrode) at various concentrations(0.5, 1.0, and 1.5 N) of NaClO4 solution. The current of reduction and oxidation range was measured from 1650 mV to -1350 mV, continuously. The scan rates were 50, 100 and 150 mV/s, respectively. As a result, monolayer and multilayer LB films of polyimide are appeared on irreversible process caused by the oxidation current from the cyclic voltammogram.

A Cu-Fe-P copper alloy was processed by accumulative roll-bonding (ARB) for ultra grain refinement and high strengthening. Two 1mm thick copper sheets, 30 mm wide and 300 mm long, were first degreased and wire-brushed for sound bonding. The sheets were then stacked on top of each other and roll-bonded by about 50% reduction rolling without lubrication at ambient temperature. The bonded sheet was then cut into two pieces of the same dimensions and the same procedure was repeated for the sheets up to eight cycles. Microstructural evolution of the copper alloy with the number of the ARB cycles was investigated by optical microscopy (OM), transmission electron microscopy(TEM), and electron back scatter diffraction(EBSD). The grain size decreased gradually with the number of ARB cycles, and was reduced to 290 nm after eight cycles. The boundaries above 60% of ultrafine grains formed exhibited high angle boundaries above 15 degrees. In addition, the average misorientation angle of ultrafine grains was 30 degrees.

국립원예특작과학원 버섯과에서 수집한 총 36종의 만가 닥버섯을 이용하여 새로운 품종개발을 위한 육종모본을 선 발하고자 각각의 균주에 대하여 DNA를 추출한 후 RAPD연 구를 수행하여 종간 유연관계를 분석하였다. RAPD-PCR 을 수행하기 위하여 OPC8, OPC14, OPA10, OPA11총4 개의 oligoprimers를 이용하였다. 유연관계분석은 계통 상 호간의 유사도 계수(Similarity coefficient)를 Sokal and Sneath(1963)의 방법에 따라 구하였고, XLStat 프로그램 을 이용하여 도출된 자료행렬에 따라 UPGMA(Unweighted Pair-Group Method with Arithmetic average) 방법에 의 한 dendrogram을 작성 후 분석하였다. 공시된 만가닥 버섯 균주의 RAPD-RCR을 수행한 결과 Lyophyllum ulmarium 이35균주이며, 나머지 1균주만 Lyophyllum decates 로총 3그룹으로 나뉘었으며, 이 중 ASI8012, ASI8006등9개 균 주가 group 1로 분리되었고, 유사도는 0.2 ~ 0.9, ASI8040, ASI8020 등21개 균주가 group 2로 분리되었고, 유사도 는 0.3~1.0, 마지막으로 ASI8046, ASI8037등 6개 균주 가 group 3로 분리되었고, 유사도는 0.4~0.8이었다. 그 리고ASI8022와 ASI8018의 유사도는 93%, ASI8045와 ASI8036의 유사도는 94%, ASI8016과 ASI8002의 유사도 는 99%로 가장 높은 유사도를 나타냈다.. 또한 Lyophyllum decates ASI8009는 국내수집균주인 ASI8035와 78%의 유 사도를 나타냈다. 대부분의 ASI8040등 국내균주는 그룹 2 에 속하였으나 국내균주 ASI8040은 그룹 1에 속하였다. 그 리고 ASI8004, ASI8040, ASI8035는 외국균주와 뚜렷한 차 이를 보여 육종모본으로서 활용가치가 높다고 판단된다. 본 실험은 만가닥버섯 수집균주의 육종재료로 활용 하기 위함이며, 만가닥 버섯 신품종 개발에 기초자료로 활용하고 자 한다.

계약외 제3자에 대한 감정인의 책임이 문제된 사안에서 연방최고법원은 제3자보호효 있는 계약이라는 법형상을 원용하였다. 하지만 감정위탁인과 그 제3자의 이익 간에 역방향성이 존재한다는 점 그리고 제3자보호효를 근거지우는 계약당사자들의 의사를 인정할 수 없다는 점 등에 비추어 볼 때, 동 법형상은 이 문제상황을 해결하기에 적합한 법형상이 아니다. 한편 체약상 과실에 기한 제3자의 신뢰책임을 인정함으로써 이와 같은 문제를 해결하려는 시도도 있다. 하지만 확정적으로 계약당사자가 되지 않을 자에 대해서까지 체약상 과실책임의 주체를 확대할 수 없을 뿐만 아니라, "신뢰"라고 하는 모든 책임상황에 편재하는 요소가 특히 이 책임을 근거지우는 데 원용되는 것도 적절치 않다. 다양한 무계약적 급부관계가 혼재하는 현대적 협업형태의 한 유형으로 이 사례를 이해할 때, 법의 발전적 형성(Rechtsfortbildung)을 통해 문제를 해결하는 것이 적절하다. 절대권적 지위가 침해된 경우가 아닌 일차적 재산손해에 대한 배상책임은 제한적으로만 인정되는데, 그 취지는 배상청구권의 인정범위가 무한히 확대됨으로써 결국 사회구성원들의 행동의 자유가 과도하게 제약받는 것을 저지하는 데에 있다. 이런 의미에서 책임법질서 내에서 상충되는 두 기본가치는 현상의 보호 그리고 행동자유의 보장이다. 전체계획에 따라 조직화된 급부결합관계의 틀 내에서, 그 개별화 기능으로 인하여 배상청구권자 범위의 무제한적 확대가 저지될 수 있다면 일차적 재산손해에 대한 배상책임을 긍정한다 할지라도 행동자유에 대한 과도한 침해는 없다같은 기준에 따라 급부결합관계를 차별화함으로써, 손해배상청구권이 긍정되는 경우와 부정되는 경우를 구분하는 기준이 설정될 수 있다.

청소년의 재범을 방지하고 사회 적응력을 높여 건전한 사회구성원으로 만들기 위한 하나의 작업인 교정교육은 궁극적으로 청소년들이 사회 공동체의 약속과 기준에 대해 인식하고 그것을 활용한 사회생활 능력을 높일 때 교정교육의 이념을 구현할 수 있다. 또한 청소년의 교정교육은 청소년의 특성으로 인하여 다면적이고 다양한 학문적 시각의 접근이 필요하며 현재 시행되고 있는 교정교육을 좀 더 보완하기 위한 하나의 수단으로 법교육을 제안한다. 법교육은 국내 외 선행연구를 통해 법에 대한 인식 및 신뢰, 법 준수에 대한 의지 등이 향상되고 사법기관의 절차에 대한 믿음과 법의 공정성을 인식하게 하는 유용한 교육임을 알 수 있다. 또한 청소년들을 둘러싼 환경들에 대해 관심을 높여 사회적 결속력을 높일 수 있는 방법으로 제시된다. 우리 사회의 미래 원동력인 청소년들은 사회와 분리되어 삶을 영위할 수 없고 사회는 공동체의 약속인 법과 분리될 수 없다. 따라서 청소년들이 개인적인 삶과 사회생활 모두를 형성해 나갈 때 필요 한 것이 법에 대한 지식을 활용할 수 있는 능력, 공동체 가치와 기준에 대한 내면화이며 이것은 교정교육의 보완적 수단인 법교육을 통해 달성할 수 있을 것이다.

본 연구는 최근 정부 및 지자체에서 다양하게 추진하고 있는 각종 지역개발사업의 효율적 추진을 위해서 농산촌지역의 지대구분 및 사업추진을 위해 농산어촌지역 지대구분을 위한 구분기준과 지표를 개발하고 지대구분 안을 도출하는 것이 목적이다. 연구결과, 도시화지역 6개 읍․면, 준도시화 지역 13개 읍․면, 농촌지역 14개 읍․면, 중산간지역 18개 읍․면, 산간지역 11개 읍․면으로 구분되어 전체적으로 균등한 분포를 나타냈다. 세부적으로 보면, 각 군의 읍지역과 중심기능을 담당하고 있는 일부 거점면이 도시화지역으로 분류되었으며, 반대로 지형적으로 다소 산간지역의 특성이 강한 지역일지라도 수려한 자연경관 및 우수한 관광자원을 보유한 지역의 경우에 평가량이 다소 높게 나타난 것이 특징이다. 결과적으로 같은 군에 위치하거나 인접한 읍․면일지라도 각 읍․면별 지역적 특성은 서로 다른 특성을 내포하고 있기에 당해지역의 발전 잠재력을 극대화 할 수 있도록 지역적 특성을 고려한 사업추진이 절실하게 요구되고 있다.

최근 들어 구조물의 내진성능평가법으로서 간편법인 역량스펙트럼법이 건축물을 비롯한 교량분야에도 활용되고 있다. 현재까지의 연구는 대부분 대칭성을 갖는 정형화된 형상의 교량을 대상으로 하는 연구가 진행되어 왔다. 이 논문에서는 역량스펙트럼법을 비정형 곡선교에 적용시켰을 때의 실용성을 검토하였다. 이를 위해 3경간 연속 곡선교의 비탄성 내진성능을 역량스펙트럼법과 시간이력해석법으로 평가하였다. 곡선교의 응답은 단순 3경간 대칭형 직선교의 응답과 비교하고, 곡선교의 원호각의 정도에 따른 비탄성변위응답의 변화를 분석하였다. 역량스펙트럼법에 의한 평가결과는 비선형 시간이력해석법에 의한 결과와 비교하였다. 입력운동으로 사용한 지반 운동은 실제 기록 지진 중에서 선별된 El Centro지진과 Kobe지진이다. 해석결과, 역량스펙트럼법이 시간이력해석방법에 비하여 대체적으로 변위응답을 크게 산출하고 있는 것으로 확인되었다. 역량스펙트럼법에 의한 해석결과로 얻어진 직선교에 대한 변위 응답 값은 시간이력해석결과와 대체적으로 일치하고 있다. 하지만 곡선교의 원호각이 커질수록 교각의 비탄성 변위는 직선교의 비탄성 변위와 비교하였을 때 그 차이가 증가되는 것으로 확인되었다.

유비쿼터스 환경에서는 모든 사물이 소통할 수 있는 환경이기 때문에 사물과 사물 사이, 사물과 사람 사이, 사람과 사람 사이의 진정성을 확보할 수 있는 수단이 필요하며, 이를 위하여 종래의 단편적 서비스에 머무르고 있는 인증기능을 통합적으로 관리할 필요가 있다. 따라서 인증서비스는 인증에 필요한 인증대상, 등록(대행)기관, 인증서비스제공기관, 인증을 검증해주기 위한 검증기관, 인증서비스제공기관의 인증서비스를 평가하기 위한 제3의 기관이 요구된다. 나아가 이러한 인증서비스의 전 과정에 걸친 업무의 투명성, 진정성, 안정성 등에 대한 관리․감독 및 정책을 수립․수행하기 위한 관리감독기관의 설립이 필요하다. 한편 기기인증모델의 경우에 인증기관이 등록(대행)기관을 통하여 인증수단을 발급하거나 직접 인증수단을 발급할 경우에 어느 경우에나 허위 혹은 부정확한 인증수단이 발급됨으로 인하여 인증수단을 발급받은 자나 그와 법률행위를 함으로써 손해를 입은 경우에는 그에 대한 손해를 배상할 책임을진다. 인증수단의 발급 사무를 기기의 제조업체에서 수행하는 경우에 발급되는 인증서 자체에 문제가 발생한 경우에는 인증기관이, 발급과정에 문제가 발생한 경우에는 제조업체가 책임을 지게 된다. 더불어 종래 전자서명법에 규정되어 있는 공인인증기관에 한하여 인정되는 형식적 증거력의 인정 규정을 개정하여, 다양한 인증수단에 형식적 증거력이 부여되도록 하는 형태로 수정할 필요가 있다.

RFID는 이동형 태그에 일정한 정보를 저장하여 리더기를 이용하여 정보를 처리하도록 하는 기술을 말한다. RFID가 부착된 기기나 물품들의 유통을 추적하기에 적합하다. 그러나 RFID에 저장되는 정보의 양을 증가시키거나 리더기와의 상호통신을 가능하게 함으로써 더욱 많은 정보의 처리가 가능하게 되었다. 이처럼 기술의 발달에 따라 새로운 삶의 도구들이 끊임없이 개발․활용되지만, 그러한 도구들이 우리에게 이익과 해악을 동시에 가져오는 양날의 칼로서 작용하지 않도록 다양한 장치들을 마련하고자 하는것이 이 글의 목표이다. 모바일 RFID는 유비쿼터스 네트워크 사회를 실현하기 위한 중요한 기술적 기반이며 경제적 효과도 크기 때문에 무조건적인 제한은 바람직하지 않다. 한편 모바일 RFID는 모든 물체 심지어 사람에게까지도 부착될 수 있기 때문에 프라이버시 내지 개인정보의 침해는 더욱 심각해질 수 있다. 따라서 양측의 이익을 조화시키기 위한 노력이 필요하다. 이러한 관점에서 이 글에서는 먼저 현행 법제 하에서의 규율을 검토하였으며, 이를 바탕으로 한 대응방안에서는 자율규제로서 가이드라인의 제정과 준수, 기술적 규율을 살펴보았고, 아울러 정책적 대응방안으로서 교육 및 홍보의 촉진, 인프라 구축등을 제시하고, 법적 대응방안으로서는 종래의 개인정보에 관한 법률 상의 원칙을 기본으로 하면서 향후 기술적 발전에 대응할 수 있도록 해당 법적규범의 구체화라는 측면에서 지침을 적극적으로 활용하는 것이 타당하다는것을 살펴보았다. 다만, 종래 법규범에 의하여 해결이 어려운 부분, 즉 이동형 RFID 리더를 통한 고의적인 개인식별장치의 탐지 및 개인정보 수집 등에 대하여 금지하거나 신체이식을 엄격히 규율하는 것과 같은 사항은 별도의 입법이 필요하다. 이상과 같이 모바일 RFID에 대한 법제도적 대응을 살펴보았지만, 모바일 RFID가 구체적으로 널리 활용됨에 따라 미처 예측하지 못한 문제점이 대두될 수 있기 때문에 기술적 이용 동향을 면밀히 검토하여 향후 법제도적 대응을 해 나가야 할 것이다.

TiAlN films were deposited on WC-5Co substrates with different buffer layers by D.C. magnetron sputtering. The films were evaluated by microstructural observations and measuring of preferred orientation, hardness value, and adhesion force. As a process variable, various buffer layers were used such as TiAlN single layer, TiAlN/TiAl, TiAlN/TiN and TiAlN/CrN. TiAlN coating layer showed columnar structures which grew up at a right angle to the substrates. The thickness of the TiAlN coating layer was about 1.8μm, which was formed for 200 minutes at 300˚. XRD analysis showed that the preferred orientation of TiAlN layer with TiN buffer layer was (111) and (200), and the specimens of TiAlN/TiAl, TiAlN/CrN, TiAlN single layer have preferred orientation of (111), respectively. TiAlN single layer and TiAlN/TiAl showed good adhesion properties, showing an over 80N adhesion force, while TiAlN/TiN film showed approximately 13N and the TiAlN/CrN was the worst case, in which the layer was destroyed because of high internal residual stress. The value of micro vickers hardness of the TiAlN single layer, TiAlN/TiAl and TiAlN/TiN layers were 2711, 2548 and 2461 Hv, respectively.

Through the electrostatic interaction between the poly-diallydimethylammonium chloride (PDDA) modified Multi-walled carbon nanotube (MWNT) and SnO2 suspension in 1mM NaNo3 solution, MWNT-SnO2 nanocomposites (MSC) for anode electrodes of a Li-ion battery were successfully fabricated by colloidal heterocoagulation method. TEM observation showed that most of the SnO2 nanoparticles were uniformly deposited on the outside surface of the MWNT. Galvanostatic charge/discharge cycling tests showed that MSC anodes exhibited higher specific capacities than bare MWNT and better cyclability than unsupported nano-SnO2 anodes. Also, after 20 cycles, the MSC anode fabricated by heterocoagulation method showed more stable cycle properties than the simply mixed MSC anode. These improved electrochemical properties are attributed to the MWNT, which adsorbs the mechanical stress induced from volume change and increasing electrical conductivity of the MSC anode, and suppresses the aggregation between the SnO2 nanoparticles.

Ba(Ti,Sn)O3 thin films, for use as dielectrics for MLCCs, were grown from Sn doped BaTiO3 sourcesby e-beam evaporation. The crystalline phase, microstructure, dielectric and electrical properties of films wereinvestigated as a function of the (Ti＋Sn)/Ba ratio. When BaTiO3 sources doped with 20~50mol% of Sn wereevaporated, BaSnO3films were grown due to the higher vapor pressure of Ba and Sn than of Ti. However, itwas possible to grow the Ba(Ti,Sn)O3 thin films with ≤15mol% of Sn by co-evaporation of BTS and Ti metalsources. The (Ti＋Sn)/Ba and Sn/Ti ratio affected the microstructure and surface roughness of films and thedielectric constant increased with increasing Sn content. The dielectric constant and dissipation factor ofBa(Ti,Sn)O3 thin films with ≤15mol% of Sn showed the range of 120 to 160 and 2.5~5.5% at 1KHz,respectively. The leakage current density of films was order of the 10−9~10−8A/cm2 at 300KV/cm. The researchresults showed that it was feasible to grow the Ba(Ti,Sn)O3 thin films as dielectrics for MLCCs by an e-beamevaporation technique.

Single crystal ZnIn2S4 layers were grown on thoroughly etched semi-insulating GaAs(100) substrateat 450oC with hot wall epitaxy (HWE) system by evaporating ZnIn2S4 source at 610oC. The crystalline structureof the single crystal thin films was investigated by the photoluminescence (PL) and double crystal X-ray rockingcurve (DCRC). The temperature dependence of the energy band gap of the ZnIn2S4 obtained from theabsorption spectra was well described by the Varshni’s relation, Eg(T)=2.9514eV-(7.24×10−4eV/K)T2/(T＋489K). After the as-grown ZnIn2S4 single crystal thin films were annealed in Zn-, S-, and In-atmospheres, theorigin of point defects of ZnIn2S4 single crystal thin films has been investigated by the photoluminescence (PL)at 10K. The native defects of VZn, VS, Znint, and Sint obtained by PL measurements were classified as a donorsor acceptors type. And we concluded that the heat-treatment in the S-atmosphere converted ZnIn2S4 singlecrystal thin films to an optical p-type. Also, we confirmed that In in ZnIn2S4/GaAs did not form the nativedefects because In in ZnIn2S4 single crystal thin films existed in the form of stable bonds.

Polycrystalline germanium (Ge) thin films were grown by metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) using tetra-allyl germanium [Ge(allyl)4], and germane (GeH4) as precursors. Ge thin films were grown on a TiN(50nm)/SiO2/Si substrate by varying the growth conditions of the reactive gas (H2), temperature (300-700˚C) and pressure (1-760Torr). H2 gas helps to remove carbon from Ge film for a Ge(allyl)4 precursor but not for a GeH4 precursor. Ge(allyl)4 exhibits island growth (VW mode) characteristics under conditions of 760Torr at 400-700˚C, whereas GeH4 shows a layer growth pattern (FM mode) under conditions of 5Torr at 400-700˚C. The activation energies of the two precursors under optimized deposition conditions were 13.4 KJ/mol and 31.0 KJ/mol, respectively.

본 연구에서 졸-겔 방법에 의하여 나노 기공을 가지는 세라믹막을 제조하여 단일 조성의 헬륨과 질소를 가지고 기체투과 실험을 수행하였다. 기공 크기 0.1 μm, 기공율 32%의 평막형 α-Al2O3 지지체를 제조하였으며, 지지체를 담지하여 코팅하는 방법으로 4nm의 기공 크기를 가지는 γ-Al2O3 중간층을 제조하였다. 실리카 졸은 TEOS의 산 촉매 가수분해와 축중합반응을 통하여 합성하였다. 막은 딥코팅과 소결과정을 거쳐 제조되었다. 졸-겔 법에 의해 합성된 세라믹 막을 통한 헬륨, 질소 투과 실험은 기체의 투과 특성을 파악하기 위하여 시행하였다. 질소에 대한 헬륨의 선택도는 100∼160 정도였으며 헬륨의 투과도는 303∼363 K의 온도 범위에서 10 -7 mol/m 2 ⋅s⋅Pa 정도였다.