본 연구는 환경부 멸종위기야생식물Ⅱ급이자 한반도 고유종인 한라송이풀의 자생지 환경특성과 식물상 을 조사하여 자생지 보전을 위한 기초자료를 제공하고자 수행되었다. 가야산 자생지는 해발 1,400m의 남 서사면, 한라산 자생지는 해발 1,500m의 남동사면에서 출현하였으며, 두 자생지 모두 상층식생이 전무한 초지대에서 생육하는 것으로 조사되었다. 토양의 이화학성 분석결과 토양 pH는 4.93-6.48, 토양유기물함 량은 4.4-8.1%로 나타났다. 조사구 내 출현식물은 총 27과 40속 43종 8변종 4품종 등 총 55분류군으로 조사되었고 가야산은 25분류군, 한라산은 37분류군이 확인되었다. 한라송이풀은 한반도 내 아고산지역에 잔존하는 북방계성 식물로 현재의 자생지는 주변식물의 피압에 의해 경쟁에서 지속적으로 밀려나 개체수가 급격하게 감소하고 있다. 따라서 자생지 보전 및 복원을 위하여 광도, 온도, 집단의 유전적 평가 등 다양한 인자를 포함한 종합적인 보전생물학적 연구가 요구된다.

In the present study, we report two lepidopteran pests on the cones of Abies koreana E. H. Wilson; Cydia sp. of Tortricidae and Dioryctria abietella Denis et Schiffermüller of Pyralidae. Larvae of these species bored tunnels inside the immature cones of the host plant. Damaged cones are easy to spot by reddish brown excretion from the pest entry holes, and the cones severly damaged by the larvae becomes crooked. Damage rate on the cones reached up tp 71% from the collection site. Regarding the two pests, some basic information such as collection records, morphological characters, and ecology were provided.

Aluminum nitride(AlN) films were grown on the C-face and on the Si-face of (0001) silicon carbide(SiC) substrates using plasma-assisted molecular-beam epitaxy(PA-MBE). This study was focused on first-stage growth manipulation prior to the start of AlN growth. Al pre-exposure, N-plasma pre-exposure, and simultaneous exposure(Al and N-plasma) procedures were used in the investigation. In addition, substrate polarity and, first-stage growth manipulation strongly affected the growth and properties of the AlN films. Al pre-exposure on the C-face and on the Si-face of SiC substrates prior to initiation of the AlN growth resulted in the formation of hexagonal hillocks on the surface. However, crack formation was observed on the C-face of SiC substrates without Al pre-exposure. X-ray rocking-curve measurements revealed that the AlN epilayers grown on the Si-face of the SiC showed relatively lower tilt and twist mosaic than did the epilayers grown on the C-face of the SiC. The results from the investigations reported in this paper indicate that the growth conditions on the Si-face of the SiC without Al pre-exposure was highly preferred to obtain the overall high-quality AlN epilayers formed using PA-MBE.