친환경적인 전기자동차, 전기 추진 선박, 하이브리드 자동차, 전철 등의 구성 요소 중 기존 파워 디바이스에서 사용 중인 실리 콘(Si)을 실리콘 카바이드(SiC, silicon carbide)로 대체하려는 연구가 진행 중이다. 고품질의 SiC 결정 성장을 시키기 위해 다양한 방법 중 상 부 종자 용액 성장(top seeded solution growth, TSSG)법이 큰 주목을 받고 있다. 그러나 SiC 결정 성장 시, 느린 성장 속도뿐만 아니라 많은 결함을 갖는 문제를 갖고 있다. 그래서 본 연구에서는 SiC 단결정을 성장 시키는 TSSG법의 개선을 위한 기초 연구를 진행하였다. 기존에 많이 사용되는 Si, Si0.6Cr0.4 용융 물질와 탄소 도가니와 관계를 가열 온도에 따른 접촉각과 자연 냉각 후 시료의 단면의 차이점을 통해 비 교 분석하였다. 젖음성 분석 시험 장비를 이용하여 탄소 도가니로 쓰이는 카본판 위에 Si과 Si0.6Cr0.4를 놓고 가열 및 용융 시키며 접촉각의 변화를 측정하였고, 가열 종료 후 자연 냉각된 시료의 단면을 관찰하였다. 결과적으로 1800 ℃에서 Si, Si0.6Cr0.4와 탄소판 간의 접촉각이 10°정도 차이를 나타냈다. 단면 관찰에서는 Si의 경우, 탄소판 안으로 스며든 후 굳은 모습을 확인할 수 있었다. 반면, Si0.6Cr0.4의 경우는 탄 소판 안으로 스며든 범위가 훨씬 더 적게 나타냈다. 본 연구의 결과는 TSSG법을 활용한 SiC 단결정 성장을 위한 연구의 기초 자료로 활용 될 것으로 기대된다.