MgTiO3 thin films were prepared by r.f. magnetron sputtering in order to prepare miniaturized NPO type MLCCs.MgTiO3 films showed a polycrystalline structure of ilmenite characterized by the appearance of (110) and (202) peaks. Theintensity of the peaks decreased with an increase in the chamber pressure due to the decrease of crystallinity which resultedfrom the decrease of kinetic energy of the sputtered atoms. The films annealed at 600oC for 60min. showed a fine grainedmicrostructure without micro-cracks. The grain size and roughness of the MgTiO3 films decreased with the increase of chamberpressure. The average surface roughness was 1.425~0.313nm for MgTiO3 films prepared at 10~70mTorr. MgTiO3 films showeda dielectric constant of 17~19.7 and a dissipation factor of 2.1~4.9% at 1MHz. The dielectric constant of the films is similarto that of bulk ceramics. The dielectric constant and the dissipation factor decreased with the increase of the chamber pressuredue to the decrease of grain size and crystallinity. The leakage current density was 10−5~10−7A/cm2 at 200kV/cm and this valuedecreased with the increase of the chamber pressure. The small grain size and smooth surface microstructure of the filmsdeposited at high chamber pressure resulted in a low leakage current density. MgTiO3 films showed a near zero temperaturecoefficient and satisfied the specifications for NPO type materials. The dielectric properties of the MgTiO3 thin films preparedby sputtering suggest the feasibility of their application for MLCCs.

(Ba, Sr)TiO3계에 저융점의 Glass물질을 첨가하여 저온소결이 가능하며, 고유전율을 갖는 유전체 재료를 제조하여, 그 특성을 조사하였다. 본 연구에서는 고유전율의 (Ba, Sr)TiO3계에 PbO함량이 서로 다른 Glass물질을 첨가하여 조성변화에 따른 저온소결거동 및 유전특성을 조사하였으며, 적층형 세라믹 Capacitor(MLCC)에 응용하기 위하여 다양한 조성으로 제조하였다. PbO-ZnO-B2O2계 Glass 성분을 첨가하여 소결온도를 1350˚C에서 1050˚C까지 낮출수 있었으며, 4wt% glass 첨가로 1150˚C 이하에서 2시간 소결한 저온소결용 재료는 실온에서 8000정도의 높은 비유전율과 0.005의 낮은 유전손실 그리고 광역온도범위에서 유전상수의 안정성을 가진 우수한 특성을 나타내며, 입자크기가 1~3 μm 정도로 치밀한 미세구조를 가지고 있다. 본 연구의 저온소결용 유전체 재료는 Z5U 규격을 만족시키고 기존의 BaTiO3계 재료에 비해 낮은 소결온도를 가지므로 MLCC에 응용시 내부전극으로 Ag-Pd alloy 사용이 가능한 것으로 밝혀졌다.