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Ti/Si의 조성비율이 다른 타겟을 이용한 sputtered Ti-Si-N 박막의 증착특성 연구 KCI 등재 SCOPUS

Deposition Characteristics of Ti-Si-N Films Deposited by Radio Frequency Reactive Sputtering of Various Ratio of Ti/Si Targets in an N2/Ar Ambient

  • 언어KOR
  • URLhttps://db.koreascholar.com/Article/Detail/295874
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한국재료학회지 (Korean Journal of Materials Research)
한국재료학회 (Materials Research Society Of Korea)
초록

Ti과 Si의 비가 서로 다른 종류의 타 을 Ar/N2의 혼합기체를 사용하여 rf magnetron sputtering방법으로 증착된 Ti-Si-N박막의 증착특성에 대해 연구하였다. Ti-Si-N박막의 조성과 증착률은 각 타 Ti/Si의 비율과 증착시의 질소기체의 유량에 따라 크게 변하였다. 이것은 Ti과 Si의 nitriding 정도의 차이로 인한 서로 다른 sputter yield에 의한 것으로 나타났다. Si이 비교적 적게 포함된 Ti-Si-N박막은 증착시부터 박막내 TiN의 결정화가 일어났으며, 낮은 비저항을 나타내었다. N의 함량의 증가는 박막의 밀도와 압축응력을 증가시켜 Ti-Si-N박막의 확산방지 능력에 큰 영향을 미치는 인자로 나타났다. 본 연구에서 N2의 유략과 타 의 Ti/Si비율을 조절함으로써 효율적인 확산방지막인 Ti-Si-N 박막의 공정조건을 확립할 수 있었다. 박막의 공정조건을 확립할 수 있었다.

저자
  • 박상기 | Park, Sang-Gi
  • 강봉주 | 강봉주
  • 양희정 | 양희정
  • 이원희 | 이원희
  • 이은구 | 이은구
  • 김희재 | 김희재
  • 이재갑 | 이재갑