비정질 SiO2위에서 증착시킨 Si1-xGex합금의 증착온도에 따른 결정성, 미세구조와 조성의 균일성을 X선 회절법과 투과 전자현미겨으로 조사하였고, Si1-xGex/Sio2계면을 고분해능 투과 전자현미경을 이용하여 원자단위로 관찰하였다. Ge의 몰분율을 0.3으로 놓고 증착온도를 300˚C,400˚C,500˚C,600˚C,700˚C로 변화시키며 Si-MBE로 증착된 박막은 , 분석 결과 300˚C에서는 비정질상만이 존재하였고 400˚C에서는 결정상과 비정질상이 공존하고 있었다. 두상은 SiO2위에 함께 증착되었으나 초기 성장에서는 비정질상이 주로 성장되었으며 박막의 두께가 비정질층이 관찰되었다. 600˚C이상에서는 결정상으로만 증착되었다. 증착된 다결정상은 주상성장을 하였다. 증착된 박막의 조성은 중착온도에 관계없이 균일하였으며, Si1-xGex/Sio2계면은 다결정상이나 비정질상에 관계없이 평탄하였다.