겨울철 난방연료가 많이 소모되는 대규모 연동형 온실의 보온성을 향상시키기 위해 터널용 보온자재로 많이 사용되는 다겹보온커튼을 이용하여 기존의 부직포, 알루미늄스크린 등과 보온성을 상대적으로 비교하였다. 또한 다겹보온자재는 보온성이 높으나 두께가 두꺼워 전동모터를 이용한 자동개폐장치를 구성하기 어려운 단점이 있으므로 연동형 온실에 적용할 수 있는 고장이 적고 작동이 원활한 커튼 개폐장치를 개발하여 작물재배 및 난방연료 절감효과를 검토하였다. 다겹보온자재와 부직포, 알루미늄스크린 등의 보온커튼용 자재의 열 관류량을 측정하여 상대적인 보온효과를 비교한 결과 부직포에 비해 알루미늄스크린의 열관류량이 적었고, 알루미늄 및 화학솜의 3겹보온자재와 다겹보온자재는 알루미늄스크린에 비해 열관류량이 각각 23.3%, 43.0% 적게 나타나 다겹보온자재의 보온성이 우수한 것으로 판단되었다. 다겹보온자재는 여러 겹으로 누빈 조합형 보온자재이므로 두께가 두껍고 화학솜, 폴리폼 등 연신되기 쉬운 자재를 이용하므로 장기간 사용시 커튼 개폐장치의 예인선이나 보온자재가 처지게 될 우려가 있으므로 예인식과 권취식 개폐방법을 동시에 적용하여 보온커튼 개페장치를 구성하였다. 시험용 온실 에 다겹보온커튼과 부직포커튼을 설치하고 풋고추를 재배한 결과 다겹보온커튼 설치 온실에서 풋고추의 생육이 유리하였고 초기수량도 27% 정도 증수되었으며, 경유온풍기의 난방연료 소모량은 46%정도 절감되었다.

Silica hydrogel was synthesized by the reaction of liquid sodium silicate with sulfuric acid. The condensation polymerization of the synthesized hydrogel was carried out via an aging process under the acidic or alkaline conditions. Nano porous silica with the pore size below 3 nm and surface area of , was obtained by the above processes in acidic ranges(pH : 3~5). The pore size and surface area of the silica varied with pH, and in alkaline ranges(pH : 8~10), those were 21 nm and respectively. The characteristics of the silica varied with the thermal treatment which caused the change of surface area, pore volume and pore diameter.

N2처리에 의해 Si (001) 기판에 형성된 C49상의 구조를 갖는 에피택셜 TiSi2상의 열적 거동과 결정학적 특성을 X선 회절법 (XRD)과 고분해능 투과전자현미경법 (HRTEM)으로 조사하였다. 에피택결 C49-TiSi2상은 1000˚C 정도의 고온에서도 안정상인 C54상으로 상변태하지 않고 형태적으로도 고온 특성이 우수하다는 것이 밝혀졌다. HRTEM 결과로부터 에피택결 TiSi2상과 Si 사이의 결정학적 방위관계는 (060) [001]TiSi2//(002) [110]Si임을 알 수 있었고 계면에서의 격자 변형에너지는 misfit 전위의 형성에 의하여 해소되는 것을 확인할 수 있었다. 또한 HRTEM상의 해석과 원자 모델링을 통하여 Si에서 에피택셜 C49-TiSi2상의 형성기구와 C49상의 (020) 면에 존재하는 적층결함을 고찰하였다.

표고버섯(Lentinus edodes(Berk) Sing)의 품질은 환경조건에 매우 민감하고, 특히 생산기간중의 강우에 의한 수분의 영향이 큰 것으로 알려져 있다. 대부분의 경우, 표고버섯이 강우에 의하여 젖지 않도록 하기 위하여, 강우차단용 플라스틱 필름을 사용하여 측창 환기구 이외에는 모두 밀폐시킨 재배시설을 사용하고 있다. 그러나 이와 같이 천창이 없는 재배시설의 실내온도와 습도는 불량한 환기로 인하여 상승하게 되고, 결국 생산성 및 품질을 떨어뜨리게 된다. 본 연구에서는 모델을 이용하여 개선된 표고재배시설의 천창 면적과 차광율에 따른 환기율 및 실내온도 변화를 분석하였다. 차광율이 50%에서 90%로 증가할수록 온도는 약 2.5℃ 이상의 차이를 나타냈으며 50%의 낮은 차광율에서 풍속의 영향이 크게 나타났다. 환기율은 풍속 1~2m.s-1 이상에서는 차광율에 관계없이 크게 증가하였다. 실외풍속이 0m.s-1에서 2m.s-1로 증가함에 따라 실내온도는 약 2℃이상 하강하였다. 특히, 천창개도가 커질수록 온도가 하강하였지만 개도 50%이상에서는 큰 차이가 없었다. 차광율이 낮을수록 개도 증가가 온도하강에 미치는 영향이 뚜렸하였다. 풍속 및 차광율에 무관하게 천창면적과 측창면적이 거의 동일할 때, 높은 환기효율 및 온도하강 특성을 나타내었다.

냉축열 잠열재로 Na2SO4.10H2O를 선정하여 냉축열을 위한 잠열축열 온도 수준을 NH4Cl과 KCI을 잠열온도 조절제로 활용하여 16℃에서 -0.3℃까지 조절하였으며, 상변화 사이클에 의한 열특성 변화 추이와 물성의 안정성을 실험 분석하여 다음과 같은 결과를 얻을 수 있었다. 1. 냉축열재로 선택한 Na2SO4.10H2O는 물성이 불안정한 상변화 잠열 재였으나, 조핵제로 BRX를, 증점제로 CBP를 첨가하여 물성을 안정시켰으며, NH4Cl과 KCl을 상변화 온도조절제로 선택하여 상변화 온도를 조절할 수 있다. 2. SSD＋NH4Cl서 NH4Cl을 g~21wt%로 증가시킴에 따라 상변화 온도는 16~-0.3℃로 조절할 수 있었으며, 잠열축열량은 30kca1/kg에서 23.4kca1/kg으로 감소하였고, 상변화 온도조절제, KCl을 l7wt%에서 25wt%로 증가시킴에 따라 상변화 온도를 14℃에서 4℃까지 조절할 수 있었다.

실리콘이 주입된 CaAs 기판위에 플라즈마 화학 증착법으로 자기정렬 gate구조의 Schottky contact을 형성하였다. 갈륨비소 소자 제조를 위하여 두께 1600Å의 턴스텐질화막을 350˚C에서 증착하여 750˚C에서 900˚C까지 급속 열처리 하였다. 텅스텐 질화막과 GaAs계면의 열적 안정성을 XRD(X-ray diffraction), PL(photoluminescence),ODLTS(optical deep livel transient spectroscopy)측정으로 조사하였으며, W보다 W67N33 gate를 형성시킬 경우에 GaAs에 미치는 열적손상이 적음을 알 수 있으며 이온 주입한 Si이온이 활성화 되는 것으로 생각된다. W67N33 GaAs 다이오드가 약 800-900˚C의 고온열처리 온도에서 W/GaAs 다이오드의 경우보다 열적 안정성이 우수하였다.

Si(100) 웨이퍼를 사용하여 RTP 장비에서 O2와 N2O 분위기에서 8nm의 oxynitride를 제조 하였다. 기존의 로(furnace) 열산화막과 비교해서 oxynitride는 I-V, TDDB 특성이 우수하였고, flat-band voltage shift도 적었으며 BF2이온 주입에 의한 붕소 투과 억제 특성도 우수하다. 유전상수는 oxynitride가 열산화막에 비해서 크다. Oxynitride는 순수한 SiO2유사하게 V 〉Φ0 구간에서 Fowler-Nordheim 터널링 특성을 나타낸다. SIMS, AES, 그리고 XPS 분석 결과 질소 pile-up이 SiO2/Si 계면에서 나타나고, 이것은 oxynitride 산화막 특성 향상과 깊은 관련이 있다.

2충의 BPSG를 사용하는 서브마이크론 CMOS DRAM에 있어 전기적 특성에 관한 BPSG flow온도의 영향을 비교하였다. BPSG flow온도를 850˚C/850˚C, 850˚C/900˚C, 900˚C/900˚C의 3가지 다른 조합을 적용하여 문턱전압, 파괴전압, Isolation전압과 더불어 면저항과 접촉 저항을 조사하였다. 900˚C/900˚C flow의 경우 NMOS에서 문턱전압은 0.8μm 미만의 채널길이에서 급격히 감소하나 PMOS 경우는 차이가 없었다. NMOS와 PMOS의 파괴전압은 각각 0.7μm와 0.8μm 이하에서 급격히 감소하였다. 그러나 850˚C/850˚C flow의 경우에는 NMOS와 PMOS모두 문턱전압과 파괴전압은 채널길이 0.7μm까지 감소하지 않았다. Isolation전압은 BPSG flow온도 감소에 따라 증가하였다. 면저항과 접촉 저항은 BPSG flow온도가 900˚C에서 850˚C로 감소됨에 따라 급격히 증가되었다. 이와 같은 결과는 열처리 온도에 따라 dopant의 확산과 활성화에 관련 있는 것으로 생각된다. 접촉 저항 증가에 대한 개선 방법에 대하여 고찰하였다.