Er을 첨가한 ZnS:Mn 형광체를 1000℃에서 4시간 고상반응법으로 소결하여 제조하였다. 결정 구조 및 광 특성은 XRD, PL 그리고 SEM을 통하여 분석하였다. XRD 결과, ZnS:Mn 형광체는 hexagonal 구조가 나타났고, Er의 농도가 증가함에 따라 Er2O3 구조가 관찰되었다. ZnS:Mn 형광체의 평균입자 크기는 약 15㎛였고, Er 첨가와 함께 ZnS:Mn, Er 형광체의 입자 크기는 감소하였다. 580nm 발광 피크는 ZnS:Mn, Er 형광체에서 Mn2+ 이온의 4T1→6A1으로의 전이에 의한 것이다. Er을 0.5mol% 첨가한 형광체의 발광 세기는 Er을 첨가하지 않은 ZnS:Mn 형광체보다 높았다. ZnS:Mn, Er 형광체에서 발광 세기의 증가는 Er3+에서 Mn2+로의 에너지 전이에 의한 것으로 생각된다.

Conjugated nanocrystals using CdSe/ZnS core/shell nanocrystal quantum dots modified by organic linkers and glucose oxidase (GOx) were prepared for use as biosensors. The trioctylphophine oxide (TOPO)-capped QDs were first modified to give them water-solubility by terminal carboxyl groups that were bonded to the amino groups of GOx through an EDC/NHS coupling reaction. As the glucose concentration increased, the photoluminescence intensity was enhanced linearly due to the electron transfer during the enzymatic reaction. The UV-visible spectra of the as-prepared QDs are identical to that of QDs-MAA. This shows that these QDs do not become agglomerated during ligand exchanges. A photoluminescence (PL) spectroscopic study showed that the PL intensity of the QDs-GOx bioconjugates was increased in the presence of glucose. These glucose sensors showed linearity up to approximately 15 mM and became gradually saturated above 15 mM because the excess glucose did not affect the enzymatic oxidation reaction past that amount. These biosensors show highly sensitive variation in terms of their photoluminescence depending on the glucose concentration.

ZnO/ZnS core/shell nanocrystals (~5-7 nm in diameter) with a size close to the quantum confinement regime were successfully synthesized using polyol and thermolysis. X-ray diffraction (XRD) and high-resolution transmission electron microscopy (HRTEM) analyses reveal that they exist in a highly crystalline wurtzite structure. The ZnO/ZnS nanocrystals show significantly enhanced UV-light emission (~384 nm) due to effective surface passivation of the ZnO core, whereas the emission of green light (~550 nm) was almost negligible. They also showed slight photoluminescence (PL) red-shift, which is possibly due to further growth of the ZnO core and/or the extension of the electron wave function to the shell. The ZnO/ZnS core/shell nanocrystals demonstrate strong potential for use as low-cost UV-light emitting devices.

We report on the light-emitting diode (LED) characteristics of core-shell CdSe/ZnS nanocrystal quantum dots (QDs) embedded in TiO2thin films on a Si substrate. A simple p-n junction could be formed when nanocrystal QDs on a p-type Si substrate were embedded in ~5 nm thick TiO2 thin film, which is inherently an n-type semiconductor. The TiO2 thin film was deposited over QDs at 200˚C using plasma-enhanced metallorganic chemical vapor deposition. The LED structure of TiO2/QDs/Si showed typical p-n diode currentvoltage and electroluminescence characteristics. The colloidal core-shell CdSe/ZnS QDs were synthesized via pyrolysis in the range of 220-280˚C. Pyrolysis conditions were optimized through systematic studies as functions of synthesis temperature, reaction time, and surfactant amount.

ZnS- composite is normally used for sputtering target. In recent years, high sputtering power for higher deposition rate often causes crack formation of the target. Therefore the target material is required that the sintered target material should have high crack resistance, excellent strength and a homogeneous microstructure with high sintered density. In this study, raw ZnS and ZnS- powders prepared by a 3-D mixer or high energy ball-milling were successfully densified by spark plasma sintering, the effective densification method of hard-to-sinter materials in a short time. After sintering, the fracture toughness was measured by the indentation fracture (IF) method. Due to the effect of crack deflection by the residual stress occurred by the second phase of fine , the hardness and fracture toughness reached to 3.031 GPa and , respectively

In this study, the ZnS composite powders for host material in phosphor was synthesized in situ by mechanical alloying. As the mechanical alloying time increases, particle size of ZnS decreases. ZnS powders of in a mean size was fabricated by mechanical alloying for 10h. The crystal structures of ZnS powders were investigated by X-ray diffraction and the photo-luminescence properties was evaluated with the optical spectra analyzer. The steady state condition of mechanically alloyed ZnS was obtained as a mean particle size of in 5h milling. The sphalerite and wurtize structures coexist in the ZnS mechanically alloyed for 5h. The ZnS powder mechanically alloyed for 10h grows to the sphalerite structure. And the strong emission peaks of ZnS are observed at 480 nm wave length at the powders of mechanically alloyed for 10h, but the sphalerite and wurtize structures in ZnS coexist and emission peaks are not appeared at the powders of mechanically alloyed for 10h.

ZnS:Cu,Cl 형광체를 이용하여 ITO/glaas 기판위에 스크린인쇄법으로 적층형과 혼합형 구조로된 2종류의 교류전계 발광소자를 제작한 후 인가전압과 주파수에 따른 광학적, 전기적 특성을 조사, 비교하였다. 적층헝의 경우 발광휘도는 400Hz, 200V 구동전압에서 약 55 cd/m2를 나타내었다. 인가전압의 주파수를 400Hz에서 30Hz로 증가시킬 경우 휘도는 420 cd/m2로 크게 향상되었다. 혼합형의 경우 400Hz의 주파수에서 문턱전압은 45V이었고, 200V, 30KHz 주파수의 동작조건에서 최대휘도는 670 cd/m2 이었다. 휘도-전압 특성 측정결과 적층형구조 보다 혼합형 소자구조에서 발광강도가 약 1.5배 증가하였다. 주파수에 따른 주발광 파장의 변화는 양쪽시료 모두 유사하게 나타났다. 1KHz이하의 저주파에서는 652 nm의 청녹색 발광과장을 나타내었으며 5KHz이상에서는 452 nm과장의 청색발광을 나타내었다.

상변화형 광디스크는 직접 반복기록에 의한 고속기록, 고밀도화가 가능하고 높은 전송속도, 재생신호의 C/N (carrier to noise) 비가 좋은 장점을 가지고 있으나 반복되는 열에너지에 의한 디스크의 변형과 소거도의 저하, 기록 반복성의 저하가 문제가 된다. 이러한 반복성의 저하를 개선하기 위해 적절한 디스크의 구조와 기록막의 상하부에 유전체 보호막인 ZnS-SiO2 박막층을 삽입하였다. 박막 제조시 많은 실험변수의 제어를 위해 다꾸찌 방법을 통하여 타겟 R.F. Power 200W, 기판 R.F. Power 20W, 아르곤 압력 4mTorr, 전극거리 6cm의 최적조건을 얻을수 있었다. TEM과 XRD분석 결과, 전극거리가 가까워질수록 높은 증착속도로 인하여 미세한 조직구조를 가지고 있으며, 일정거리 이상 가까워지면 막의 morphology에 나쁜 영향을 끼침을 알 수 있었다. 이러한 막의 morphology의 영향으로 투과율이 감소하는 것을 확인할 수 있었다. AFM과 SEM분석에서는 전극거리가 가까워질수록 높은 증착속도로 인하여 morphology에 나쁜 영향을 끼치고 있음을 확인할 수 있었다. 최적조건에서 증착한 박막은 우수한 morphology를 가진 초미세구조의 치밀하고 결함이 없는 박막이었다. 이 박막은 상변화형 광디스크에서 열적 변형을 억제하고, 열전도를 감소시켜 우수한 유전체 보호피막의 역할을 할 수 있다. 그리고, 전극거리가 ZnS결정립의 크기와 증착속도, morphology에 미치는 영향에 대해 고찰하였다.

상변화형 광디스크의 보호막으로 사용되는 ZnS-SiO2 유전체막을 RF magnetron 스퍼트링방법에 의하여 제조하는 경우에 기판 바이어스전압의 영향을 조사하기 위하여, 알곤가스 분위기에서 ZnS(80mol%)-SiO2(20mol%)타겟을 사용하여 Si Wafer와 Corning flass 위에 박막을 증착시켰다. 본 실험에서는 여러 실험 변수를 효과적으로 조절하면서 실험의 양을 줄이고 도시의 산포를 동시에 만족시키는 최적조건으로 타겟 RF 출력 200W, 기판 RF 출력 20W, 아르곤 압력 5mTorr과 증착시간 20분을 얻을 수 있었으며, 신뢰구간 95%에서 확인실험을 수행하였다. 증착된 박막의 열적 저항성을 측정하기 위해 300˚C와 600˚C에서 열처리시험을 수행하였고, Spectroscopic Ellipsometry 측정을 통한 광학적 데이터를 바탕으로 Bruggeman EMA(Effective Medium Approximation)방법을 이용하여 기공(void)분률을 측정하였다. 본 연구결과에 의하면 특성치 굴절률에 대하여 기판 바이어스인자와 증착시간 사이에는 서로 교호작용이 강하게 존재함을 확인할 수 있었다. TEM분석과 XRD 분석 결과에 의하면 기판 바이어스를 가한 최적조건에서 증착된 미세조직은 기존의 바이어스를 가하지 않을 조건에서 증착시킨 박막보다 미세한 구조를 가지며, 또한 과도한 바이어스전압은 결정구조의 조대화를 야기시켰다. 그리고 적절한 바이어스전압은 박막의 밀도를 증가시키며, 기공분률을 약 3.7%정도 감소시킴을 확인할 수 있었다.

ZnS 박막을 Hot W긴 법에 의해 증발관 온도, 기판온도 및 외부로부터 유황(5)의 공급을 변수로 하여 제작하여 광학적, 결정 구조적 특성을 분석 ·검토하였다 박막의 증착속도는 증발관 온도 및 5 증기압을 높일수록 증가하였으나 기관온도를 높이면 급격히 감소하였다. 박막의 광학적 특성은 증착속도와 밀접하게 관계하고 있다고 사료되며, 실온에서의 금지대 폭은 이론 값보다 작은 3.46∼3.72ev를 나타내어 결정 중에 결함이 존재함을 알 수 있었다. 박막의 구조를 분석한 결과 어느 경우에 있어서나 섬아연광 구조의 (111) 주 배향성을 나타내었으나 회절피크의 강도 및 반치폭으로부터 결정성은 대체로 양호하지 못했음을 알았다. 그러나, 기판온도 또는 5 공급 등의 제작조건에 따라 광학적, 결정적 특성이 개선되었다.

A new technique to grow a manganese-doped zinc-sulfide(ZnS：Mn) has been proposed using the repeated deposition of the Hot Wall method. The optical characteristics and crystallinity for the ZnS and ZnS：Mn thin films deposited on a quartz glass substrate by the method were investigated. Also, The ZnS：Mn thin film elcetroluminescent devices were fabricated by the method to study luminescence characteristics. All films showed (111)-oriented cubic structure. By the repeated deposition, the deposition rates were decreased, and the optical characteristics and crystalline properties were improved, which clarifies that the method is effective to deposit the thin films with good crystallinity Futhermore, the crystallinity was more improved by the doping of Mn. Only one peak emission at around 585nm originating from Mn luminescent center is observed In the photoluminescent and electroluminescent spectra of ZnS：Mn films and the luminance of the ZnS：Mn-based thin film electroluminescent devices was obtained below 60cd/m2 . The optical and crystalline properties, luminescence characteristics are discussed in terms of the effects of the repeated deposition and Mn-doping.