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한국응용과학기술학회지
(The Korean Society of Applied Science and Technology)
Vol.16 No.1 (1999.03)
pp.105-115
pp.105-115
한국응용과학기술학회(구 한국유화학회)
(The Korean Society of Applied Science and Technology (KSAST))
초록
P-type의 단결정 실리콘 위에 1000a의 열산화막을 성장시킨후 5500a의 다결정 실리콘으로 증착된 시료를 가지고 HBr/Cl2/He-O2 혼합기체로 식각할 때 시료의 식각 특성에 관한 H2-O2 기체함량. RF 전력, 압력에 대한 영향을 XPS(X-ray photoelectron Spectroscopy)와 SEM(Scanning Electron Microscopy)으로 조사하였다. HBr/Cl2/He-O2 혼합기체로 식각되는 동안 형성된 다결정 실리콘 식각속도는 H2-O2 함량 증가에 따라 증가하였으며 식각잔유물은 RF 전력과 압력변화에 의해 영향은 받지 않는 것으로 나타났으며, 다결정 실리콘 측벽에서의 증착속도는 낮은 RF전력과 높은 압력에서 높게 나타났다. 다결정 실리콘 식각 잔유물의 결합에너지는 안정한 SiO2인 열산화막의 경우보다 높으므로 식각 잔유물은 SiOχ(χ>2)의 화합결합을 가지는 산화물과 같은 잔유물로 생각된다.
저자
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