Polydimethylsiloxane(PDMS) 몰드를 사용한여소프트 리소그래피 방법을 통해 Poly(3-hexylthiophene)(P3HT)가 서브 파장(subwavelength) 사이즈로 나노패턴 된 전기 변색 소자를 제작하였다. 나노 패턴된 전기 변색 소자를 사용한여 착색 및 소색 상태에 따른 빛의 편광 효과를 패턴의 방향을 바꿔가며 측정하였으며, 인가전압에 따라 변화되는 고분자의 도핑 상태에 의해서 편광된 빛의 세기를 손쉽게 가역적으로 변화시킬 수 있었다. 편광 효율을 최댓값과 최솟값의 비로 정의하여 실험을 통해 1.7의 편광 효율값을 계산할 수 있었다. 산화, 환원 반응에 따른 고분자의 구조변화에 의해 도핑 상태에 따라 굴절률 차이가 생기게 되고 이에 따라 편광 된 빛의 세기를 인가전압의 스위칭만으로 조절할 수 있었다. 전기 변색 소자에 -2V와 2V 전압을 인가해 주었을 때 고분자 패턴과 전해질 사이의 굴절률 차이는 0.61과 0.99의 값으로 나타났다.
Poly(3-hexylthiophene) (P3HT) films were patterned by a soft lithography technique using a nano-patterned Polydimethylsiloxane(PDMS) mold to generate subwavelength size gratings. Using nano-patterned cell, light polarization properties were studied in colored and bleached states, depending on the pattern direction. The polarized light intensity was reversibly changed simply by applying different potential relevant to the doping state change of the polymer. The polarzing efficiency was 1.7 as determined from the ratio of the maximum and minimum output intensity of the electrochromic polarizer. Such result was correlated to the redox structure of the polymer, which have different refractive index at different doping state. The refractive index difference between the polymer grating and medium was determined as 0.61 and 0.99 from the polarized diffraction intensity of the P3HT polarizer at -2V and 2V, respectively.