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단결정 실리콘 기판에 이온주입된 불순물이 TaSi2형성에 미치는 영향 KCI 등재 SCOPUS

The effect of impurities implanted single-Si substrates on the formation of TaSi2

  • 언어KOR
  • URLhttps://db.koreascholar.com/Article/Detail/294545
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한국재료학회지 (Korean Journal of Materials Research)
한국재료학회 (Materials Research Society Of Korea)
초록

불순물이 주입된 실리콘 기판에 500 두께의 탄탈륨 박막을 증착한 후 실리사이드를 형성시키기 위해 아르곤 분위기에서 급속열처리(RTA)률 하였다. 형성된 TaSi2와 불순물의 거동은 XRD, SEM, 4-point probe, HP4145와 SIMS로 조사하였다. 불순물의 종류에 관계없이 TaSi2는 RTA 온도가 800˚C일때 형성되기 시작하였으며 1000˚C이상에서 증착된 Ta가 전부 TaSi2로 상 전이가 일어났다. 또한 TaSi2/P+영역에 대한 접촉저항간은 contact size가 0.9×0.9(μm2)일때 22Ω 낮은값을 가졌으며 이온 주입된 불순물은 RTA처리시 형성된 TaSi2층으로 out-diffusion이 일어났다.

저자
  • 조현춘 | Jo, Hyun-Chun
  • 최진석 | 최진석
  • 고철기 | 고철기
  • 백수현 | 백수현