Dopant가 주입된 poly-Si 기판에서 Ta-silicides의 형성 및 dopant 의 거동에 관한 연구

최진석; 조현춘; 황유상; 고철기; 백수현

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Dopant가 주입된 poly-Si 기판에서 Ta-silicides의 형성 및 dopant 의 거동에 관한 연구 KCI 등재 SCOPUS

Study on the formation of Ta-silicides and the behavior of dopants implanted in the poly-Si substrates

최진석, 조현춘, 황유상, 고철기, 백수현

언어KOR
URLhttps://db.koreascholar.com/Article/Detail/294556

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한국재료학회지 (Korean Journal of Materials Research)

제1권 제2호 (1991.08)
pp.99-104

한국재료학회 (Materials Research Society Of Korea)

초록

Ta-silicide의 게이트 전극 및 비트라인(bit line)으로의 사용가능성을 알아보기 위하여 As, P, BF2가 5×1015cm-2의 농도로 이온주입된 다결정 실리콘에 탄탈륨을 스퍼터링으로 증착한 후 급속 열처리로 Ta-silicide를 형성하였다. 형성된 Ta-silicide의 특성은 4-탐침법, X-rayghlwjf, SEM 단면사진과 α-step으로 조사하였으며, 불순물들의 거동은 Secondary Ion Mass Spectroscopy(SIMS)로 알아보았다. TaSi2의 형성은 800˚C에서 시작하며 1000˚C 이상에서 완료됨을 알았다. 형성된 TaSi2층으로 out-diffusion 하였다.

저자

최진석 | Choi, Jin-Seok
조현춘 | 조현춘
황유상 | 황유상
고철기 | 고철기
백수현 | 백수현

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