ZnO-Bi2O3-CoO-Sb2O3와 ZnO-Bi2O3-CoO-Sb2O3-Cr2O3계에서 미세구조 변화 및 전기적 특성에 미치는 개재물의 영향을 조사하였다. 소결동안에 ZnO입자 성장은 스피넬 입자들에 의해 제어되었으며, 스피넬 입자들의 양의 증가에 의해 입자성장은 감소하였다. Cr2O3(0.5mol%)의 첨가는 비직선성지수에는 큰 영향을 미치지 못하였으며 임계전압(breakdown voltage)을 증가시켰다. 계산에 의해 구한 장벽전압은 ZnO-Bi2O3-CoO-Sb2O3와 ZnO-Bi2O3-CoO-Sb2O3-Cr2O3 계에서 각각 3.1V와 2.9V이었다.
LPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition) System을 이용하여 여러가지 증착 변수에 따른 실리콘 박막의 표면형상에 대해 고찰하였다. 중착압력, 중착온도, 반응기체의 유속에 따라 증착층의 표면형상이 큰 변화를 나타냈으며, 증착압력과 반응기체의 유속이 증가할수록 유효면적이 최대가 되는 증착온도가 증가하였다. 이러한 실험결과는 안정한 핵의 생성률이 최대가 될때 유효표면적이 최대가 된다는 가정으로부터 유도된 식과 일치하는 결과를 나타냈다.
Morse potential을 변형한 2체항(2-body tem)과 Axilrod-Teller potential을 변형한 3체항(3-body tem)으로 구성된 포텐셜에너지 함수를 사용하여 C2-C6 cluster 동소체들의 에너지들의 에너지를 3체항 세기인자(3-body intensity factor)의 함수로 나타냄으로써 3체 인력의 기여도의 증가함에 따라 carbon cluster들의 구조는 open structure로부터 closed structure로, 또한 복잡한 구조로부터 단순한 구조, 즉 3차원적인 형태로부터 2차원 및 1차원적인 형태로 변해감을 알 수 있었다.
Ta-silicide의 게이트 전극 및 비트라인(bit line)으로의 사용가능성을 알아보기 위하여 As, P, BF2가 5×1015cm-2의 농도로 이온주입된 다결정 실리콘에 탄탈륨을 스퍼터링으로 증착한 후 급속 열처리로 Ta-silicide를 형성하였다. 형성된 Ta-silicide의 특성은 4-탐침법, X-rayghlwjf, SEM 단면사진과 α-step으로 조사하였으며, 불순물들의 거동은 Secondary Ion Mass Spectroscopy(SIMS)로 알아보았다. TaSi2의 형성은 800˚C에서 시작하며 1000˚C 이상에서 완료됨을 알았다. 형성된 TaSi2층으로 out-diffusion 하였다.
압전 actuator를 위한 새로운 형태의 재료를 개발하여, 그 특성들을 조사하였다. 이 압전 actuator는 세 층으로 구성되어 있다: 압전 세라믹 층, 조성이 점차로 변하는 중간층, 그리고 또 다른 압전 세라믹 층, 이러한 형태이 재료는 경사 기능 재료(Functionally Gradient Material, FGM)라 불리운다. 경사 기능 재료를 제작하기 위한 재료설계의 개념을 도입하여, FGM화에 있어서 열팽창에 의한 시편의 박리를 막기 위해 (Pb, La)(Zr, Ti)O3계에서 서로 다른 세라믹스의 조성을 선택하였다. 1300˚C, 2시간의 소성에 의해 경사 기능화된 PLZT는 약 20μm정도의 중간층을 형성하는 미세구조를 가지고 있었다. 경사 기능 재료에서의 유전 및 압전 등의 여러 특성은 두 접합 조성층 특성의 사이의 값을 나타내었다. 인가 전압에 따른 strain특성은 전반적으로 단일 시편의 특성보다 증가하였으며, 특히 접합 조성층에서 고압전-저유전성 조성과 저압전-고유전성 조성을 경사 기능화하였을 경우에 변위의 증가 정도가 더욱 향상되었다.