간행물
한국재료학회지 KCI 등재 SCOPUS Korean Journal of Materials Research
- 발행기관 한국재료학회
- 자료유형 학술지
- 간기 월간
- ISSN 2799-8525 (Print)2799-8681 (Online)
- 수록기간 1991 ~ 2024
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- 십진분류KDC 530DDC 620
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제7권 제10호 (1997년 10월) 15건
1.
1997.10
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DGEBA/MDA/GN 계의 기계적 및 절연성질에 미치는 후기경화 조건의 영향을 연구하였다. 시편은 80˚C에서 1.5시간 동안 경화한 후 150˚C에서의 후기 경화시간과 경화온도를 다르게 하였다. 후기 경화온도가 증가함에 따라 인장강도, 절연파괴 강도 그리고 유리전이온도는 약간 증가하였으나 감소하였다. 4시간까지 후기경화되었을 때 인장강도와 유리전이온도는 증가하였으나 충격강도는 감소하였다. 그러나 4시간 후에는 거의 일정한 값을 나타내었다. 절연파괴 강도는 후기경화 시간에 관계없이 거의 일정한 값을 나타내었다.
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2.
1997.10
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본 연구에서는 반도체 소자의 수율을 현저히 저하시키는 반도체 습식 세정 시 건조 후 웨이퍼 표면에 형성된 water mark의생성 원인을 고찰하였다. 이를 위해 초순수수의 물방울을 다른 접촉각의 시편 위에 고의로 잔류시킨 후 질소 및 산소 분위기에서 건조시켰다. 건조 분위기와 상관없이 HF 처리된 소수성의시편 뿐만 아니라 친수성의 시편에서도 water mark이 관찰되었다. 생성된 water mark의 크기는 분위기에 무관하게 접촉각이 증가함에 따라 감소하였다. 그러나 산소 분위기에서 HF처리된 시편은 건조 후 질소 분위기에서 생성된 water mark의 크기보다 2배이상 크게 형성되었다. 이들 산소 및 질소 분위기에서 HF 처리된 실리콘 시편 위에 생성된 water mark의 성분을 AES(Auger Electron Spectroscopy)로 분석한 결과 water mark는 실리콘과 산소의 화합물 형태로 존재함을 확인하였다. AAS(Atomic Absorption Spectroscopy)분석 결과 건조 분위기에 상관 없이 HF처리된 실리콘 시편 위에 물방울을 30분 잔류시 물방울 내의 실리콘 농도가 증가하였다. 또한 물방울내 ozone을 첨가하여 실리콘 표면을 산화 시켰을 때 물방울과 표면의 접촉각 감소와 water mark의크기의 증가를 초래하였다.
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3.
1997.10
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폴리아크릴로나트릴(PAN)계 탄소섬유 및 안정화 PAN섬유를 사용하여 제조한 페놀수지 복합재료의 열주기 산화저항성에 섬유표면의 인산코팅 유.무가 미치는 영향을 조사하였다. 각 복합재료의 열주기 산화저항성은 열중량분석기의 원리를 응용하여, 공기중에서 hot zone과 cold zone을 주기적으로 반복이동하는 열충격조건에 노출되면서 초래되는 복합재료의 중량변화를 측정하여 비교하였다. 시험변수로는 hot zone에 노출된 온도, 시간 및 싸이클횟수를 선정하였다. 이 시험방법은 비교적 단순하며, 작은 크기의 시편으로도 가능하고, 중량변화가 온-라인 모니터에서 직접 감지되므로 데이타의 신뢰성이 ?다. 각 시험조건에서 인산코팅한 섬유를 사용한 복합재료가 그렇지 않은 재료보다 고온에서의 높은 산화저항성 때문에 우수한 열주기저항성을 보여 주었다. 또한 인산코팅의 존재 여부가 열주기시험 후의 탄소섬유-페놀수지 및 안정화 PAN섬유-페놀수지 복합재료의 미세구조에 미치는 영향을 조사하였다.
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4.
1997.10
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수직형 FHD증착법을 사용하여 SiO2, SiO2-P2O5, SiO2P2O5-B2O3-GeO2계 실리카 유리미립자를 형성하였으며, SEM, ICP-AES, XRD, TGA-DSC을 사용하여 그 특성을 분석하였다. XRD측정을 통해, 미립자 형성시 사용된 화염온도(1300˚C-1500˚C)와 기판온도(-200˚C)가 SiO2-P2O5계 미립자를 비정질상태로 형성하였으며, SiO2P2O5-B2O3와 SiO2P2O5-B2O3-GeO2계 미립자에서는 B2O3, BPO4, GeO2의 결정성피크들을 관찰하였다. TGA-DSC 열분석을 통해, SiO2와 SiO2-P2O5는 온도변화에 따른 질량변화가 없었으며, SiO2P2O5-B2O3-GeO2계의 경우 질량감소를 동반한 유리전이에 따른 분자이완현상 및 결정화나 회복반응을 나타내고 있다. 질량감소는 미립자가 결정상태일때 가속되는 경향을 나타냈으며, DSC열분석을 통해 SiO2, SiO2-P2O5, SiO2P2O5-B2O3-GeO2계 유리미립자들의 고밀화가 시작되는 온도를 각각 1224˚C, 1151˚C, 953˚C, 1130˚C에서 관찰하였다.
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5.
1997.10
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본 실험에서는 저유전율 층간절연물질로서 SiOF박막을 ECR plasma CVD를 이용하여 증착하였다. 또한 증착시에 발생시킨 플라즈마의 특성 분석을 위하여 Langmuir probe를 반응챔버에 부착하여 플라즈마 밀도, 마이크로파 전력은 700W, 기판온도는 300˚C에서 행하였다. 증착된 SiOF 박막을 분석한 결과, 가스유량비(SiF4/O2)가 0.2에서 1.6으로 증가하였을 때 불소의 함량은 약 5.3at%에서 14.5at%로 증가하였으며, 굴절률은 1.501에서 1.391로 감소하였고 이는 불소 첨가에 의한 박막의 밀도감소에 의한 것으로 생각된다. 또한 박막의 유전상수는 가스유량비가 1.0(11.8qt.% F함유)일 때 3.14였다.
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6.
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7.
1997.10
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본 연구에서는 고령토, 유황, 탄산나트륨, 규석 및 송진을 원료로 하여 군청을 합성하였고, 그 반응 메카니즘을 조사하였다. 원료의 혼합시료는 군청의 중간 생성물인 녹색군청을 합성하기 위하여, 820˚C에서 4시간 동안 소성하였다(승온율 2˚C/min). 합성된 녹색군청은 최종적으로 군청을 얻기 위해 500˚C에서 산화처리하였다. 합성 과정에서 발생하는 반응 생성물 및 이들의 구조적 변화는 x선 회절 분석과 Raman Spectrum 분석에 의하여 평가하였다. 소성과정에서 황화나트륨은 500˚C에서 생성되었고, NaAISiO4는 620˚C에서 형성되었다. 그리고, 녹색군청은 황화나트륨과 NaAISiO4의 반응에 의하여 740˚C부근에서 형성하기 시작하였다. 또한, 청색군청의 형성은 녹색군청 중에 잔존하던 황화타트륨의 산화로 방출되는 유황 원자에 기인하였다.
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8.
1997.10
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(1-x)CaTi O3-xLa(Z n12/ Ti12/) O3의 마이크로 유전특성을 조사하였다. x가 증가함에 따라 비유전율과 공진주파수의 온도계수는 감소하였으며, Qㆍ f0는 증가하였다. 그 결과 x=0.5인 (C a0.5L a0.5)( Ti0.75Z n0.25) O3의 조성에서 εr=51, Qㆍ f0=38,000 (at 7 GHz), τf=+5ppm/˚C의 유전특성이 나타났다. (C a0.5L a0.5)( Ti0.75Z n0.25) O3조성의 소결온도를 저하시키기 위하여 B i2 O3를 주조성으로한 소결체를 첨가하여 소결 및 유전특성을 조사하였다. 1wt% 0.76B i2 O3-0.24NiO가 첨가된 경우 소결온도는 150˚C 낮아졌으며, 비유전율 (εr), 공진주파수의 온도계수(τf), Qㆍ f0가 각각 50+5ppm/˚C, 35,000인 마이크로파 유전특성이 얻어졌다. 또한 3wt%의 0.76B i2 O3-0.24NiO가 첨가된 경우 소결온도는 200˚C 저하되었고, 비유전율 (εr)과 공진주파수의 온도계수 (τf)는 변하기 않았으나, Qㆍ f0값이 38,000에서 25,000으로 저하되었다. 25,000으로 저하되었다.되었다.되었다.되었다.
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9.
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Ar 및 Ar과 N2 분위기하에서 rf 마그네트론 스퍼터링방법으로 Ta-AI과 Ta-AI-N합금막을 제조하였다. Ta-7.9at.% AI계열, Ta-26.7 at% AI게열과 Ta-45.4at.%AI계열에 Ar에 대한 질서유량비로 26%까지 질소를 첨가하여 Ta-AI-N박막을 증착한후, 300-600˚C온도 구산에서 열처리 전후의 구조 및 전기적 특성과 열적안정성을 통하여 레지스터의 적용가능성을 조사하였다. 구조 및 조성 분석은 X-선 회절과 Rutherford Backscattering Spectrometry(RBS)로 관찰하였고 열적안정성은 4단자법(four point probe method)을 이용한 저항변화를 통하여 측정하였다. 순수 Ta에 AI을 첨가하면 확장된 β(β-Ta)N 합금박막에서 가장 열적안정성이 우수하게 나타났던 질소첨가 범위는 Ta Nhcp또는 TaN/ sub fcc/또는 Ta Nfcc와 비정질과의 혼합상순으로 상천이를 나타내었다. Ta-AI-N 합금박막에서 가장 열적안정성이 우수하게 나타났던 질서첨가 범위는 Ta-26.7at. % AI계열의 경우 19-36at.% N2구간이었고, Ta-45.5at.% AI계열의 경우는 30-45at.%구간이었다. Ta-AI합금박막은 질소가 첨가되지 않아도 열처리 온도 및 시간에 따라 약 10% 이내의 비교적 작은 저항변화를 보여 열적안정성이 우수하지만 질소를 첨가하여 Ta-AI-N합금박막을 형성시킬경우, 증착된 상태에서 이미 큰 비저항을 나타내었고 열처리 동안 3%이내의 매우 작은 저항변화를 나타내었기 때문에 레지스터용 재료로써 열적안정성에 대한 잠재력이 크다. 크다.
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10.
1997.10
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Sputtering 방법을 통해 Si기판 위에 Ti와 TiN박막을 증착하고 저압 반응관내에서 Cu*hfac)(TMVS)를 precursor로 사용 MOCVD Cu박막을 증착하여 Cu/TiN/Ti/Si구조의 다층박막을 제조하였고 이에 대한 열처리 방식 및 분위기 변화 등을 통해 열처리 조건에 따른 Cu 박막의 특성 변화에 대해 조사하였다. 열처리 방식으로는 Cu박막을 형성한 후 공기 중에 노출이 없이 바로 열처리하여 Cu산화물 형성을 억제할 수 있는 in-situ열처리 방식이 유리하고, 열처리 분위기로는 Cu 박막의 표면이나 결정립계 내에 존재하는 Cu 산화물을 환원시켜 줄 수 있는 H2(10%)/Ar분위기가 표면평탄화, 결정립 크기 증가 및 비저항 감소측면에서 우수한 특성의 Cu박막을 얻을 수 있음을 확인하였다.
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11.
1997.10
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본 논문은 용액법으로 성장시킨 저밀도 폴리에틸렌 박막의 냉각 조건에 따른 결정화도의 관계와 냉각 조건에 따른 전기전도현상, 유전특성 및 절연파괴에 관하 연구로서 박막은 140[˚C]에서 2시간 유지후 냉각 조건을 달리하여 제작하였다. 결정화도는 XRD를 이용하여 측정하였으며 냉각 속도가 빠를수록 결정화도가 감소함을 볼 수 있었다. 전기전도현상은 냉각 조건에 무관하게 저전계에서는 이온전도특성이 나타나고 고전계에서는 공간전하제한전류이론이 지배적이다. 절연파괴전계는 냉각속도가 증가할수록 증가하고 self-healing절연파괴 방법에서는 시험회수가 증가할수록 증가하였다.
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12.
1997.10
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13.
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14.
1997.10
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MBS에 의해(001)GaAs기판 위에 성장된 Zn1-xCoxSe(x=1.0, 7.4, 9.5 %)반도체 박막과 (ZnSe/FeSe)반도체 초격자 박막의 미세구조를 투과전자현미경을 이용하여 연구하였다. Zn1-xCoxSe 박막 시편의 경우, 박막과 기판 사이의 격자 불일치때문에 a/2<110>형태의 버거즈 벡터를 가지는 부정합 전위를 관찰하였다. 모든 Zn1-xCoxSe 박막과 기판의 계면은 뚜렷이 구별되었고, 계면에서 산화물이나 이물질이 존재하지 않았다. 또한, (ZnSe/FeSe)초격자를 성장시키기 전에 GaAs기판 위에 ZnSe바닥층을 넣음으로써 고품질의 (ZnSe/FeSe)초격자를 얻었다. (ZnSe/FeSe)초격자에 있는 FeSe는 섬아연광 결정구조로 존재하였다.
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15.
1997.10
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초기 혼합분말을 다르게 사용함으로써 다른 반응경로를 따라 성장된 일방향 집합조직 YB a2BaCu O5(Y211)형상과 분포가 초기 혼합분말이 달라짐에 따라 상당히 다르게 형성되었다. 여러 반응경로 중에서 Y2 O3+Y123→ Y1.6Ba/ sub 2.2/ Oy와 ( Y2 O3BaCu O2)+Y123→ Y1.6B a2.3C u3.3 Oy반응에 의하여 용융공정된 경우 일방향 집합조직 Y 123 결정 성장이 잘 일어났으며, 특히 Y123의 포정반응 온도 이하의 낮은 온도에서도 결정성장이 일어났다. 또한 Y211입자 미세화가 다른 반응에 의한 용융공정보다 잘 일어났다. 이와같은 서로 다른 반응과정에 의하여 용융공정된 미세구조의 차이점들을 Y2 O3-BaO-CuO 3원계 상평형도를 이용하여 설명하였다.다.다.다.다.다.다.
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