고연소도 핵연료피복관용 신합금 재료를 개발하기 위한 연구로 Zr-0.8Sn-xNb(x = 0.2,0.4,0.8, 1.0) 계 합금을 제조하여 Nb 첨가량이 Zr 합금의 미세구조 및 부식특성에 미치는 영향을 조사하였다. 미세조직 관찰결과 Nb첨가량이 증가함에 따라 결정립의 크기는 강소하였고 석출물의 량은 증가하였다. 360˚C 물 분위기에서 부식시험 한 결과 Nb 함량이 적을수록 부식저항성이 증가하는 경향을 나타냈으며며, Zr-0.8Sn-0.2Nb 합금이 가장 우수한 부식저항성을 보였다. 동얼 두께의 산화막에 대하여 XRD 분석한 결과, 내식성이 우수한 0.2 wt.% Nb 합금에서는 산화막내 tetra-ZrO2의 분율이 높게 관찰되었다. 합금설계 관점에서 Zr-O.8Sn-xNb 합금계에 Nb올 첨가할때 Nb은 고용도 이하로 첨가되어야 한다고 사료된다.
Neopentyl glycoI(NPG) 의 함량변화에 따른 diglycidyl ether of bisphenol A (DGEBA)/4,4' -methylene dianiline (MDA) 계의 등온적 경화거동을 DSC를 이용하여 분석하였다. DGEBA/MDA 계의 경화속도를 증가시키기 위하여 NPG를 첨가하였다. NPG 함량에 관계없이 전화율 곡선이 s-자 모양이었으며, 이것은 DGEBA/MDA/NPG 계의 경화반응이 자촉매 반응 메커니즘에 따른다는 것을 의미한다. NPG의 함량이 증가함에 따라 경화속도가 증가하였으며, 이것은 NPG가 가지고 있는 두 개의 hydroxyl 기가 촉매로 작용하기 때문이다.
Pt/SiOz!Si의 기판위에 (Pb,La)TiO3(PLT) 박막을 졸-겔 방법으로 제작하여 La 첨가량 및 후속열처리 온도에 따른 결정학적, 전기적 특성율 조사하였다. 600˚C 이상의 온도에서 열처리된 PLT 박막 시료의 경우 La 도핑량에 관계없이 전형적인 perovskite 결정구조를 보여 주었다. La이 전혀 첨가되지 않은 (Pb,La)TiO3(PT) 시료에 10 mole% La을 첨가할 경우 (PLT-I0 시료) c축 배향도는 약 63%에서 26%로 크게 감소하였다. PLT-1O 박막시료의 깊이에 따른 AES 분석결과 박막내의 각 성분원소 들이 비교척 균일하게 분포되어 았고 하부전극(Pt)과 PLT 박막층 사이에는 상호반응없이 비교적 안정된 막을 형성하고 있음을 알 수 있었다. 600˚C에서 열처리된 PLT-1O 박막의 유전상수(εr) 와 유전정접 (tanδ) 은 약 193과 0.02의 값을 나타내였다. 후속열처리 온도를 600˚C 에서 700˚C로 증가함에 따라 잔류분극(2Pr,Pr+-Pr-)은 약 4μCcm2 에서 약 16μCcm2로 크게 증가하였으며 잔류 분극값의 증가는 후속열처리에 의해 결정성이 개선되었기 때문이라 판단된다. 30˚C 온도부근에셔 초전계수(γ)는 약 4.0nC/cm2·˚C의 값을 냐타내었다.
금속 배선 공정에서 응용되고 있는 reflow에 관한 이론올 살펴보고, 금속 박막 reflow에 영향을 미치는 인자 및 reflow와 grain growth의 관계를 고찰하였다. 금속 박막 reflow의 구동력은 표연 위치에 따른 chemical potential의 차이이며, 이러 한 구동력에 의하여 원자가 이동하게 된다. 반도체 소자의 금속 배선을 제작하는 조건에서 원자의 이동은 주로 surface diffusion에 의하여 이루어진다. 금속 박막의 reflow에 영향율 미치는 인자로는 reflow 온도, reflow 시간, reflow 분위기, 박막 두께, 박막 재료, underlayer 재료, 패턴 size, aspect ratio가 있으며, 박막을 reflow시키는 동안에 발생하는 grain growth에 의하여 reflow 특성이 변할 것으로 예상되므로 reflow 시 grain growth의 영향을 고려하여야 하리라 생각된다.