간행물
한국재료학회지 KCI 등재 SCOPUS Korean Journal of Materials Research
- 발행기관 한국재료학회
- 자료유형 학술지
- 간기 월간
- ISSN 2799-8525 (Print)2799-8681 (Online)
- 수록기간 1991 ~ 2024
- 주제분류 공학 > 재료공학 공학 분류의 다른 간행물
- 십진분류KDC 530DDC 620
권호리스트/논문검색
제11권 제1호 (2001년 1월) 11건
1.
2001.01
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2.
2001.01
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Ni기 초내열합금 GTD 111의 미세조직의 변화와 크리프 파단특성에 대해 연구하였다. 조직관찰을 통해 본 합금의 응고거동과 주조 후 응고과정에서 석출거동을 분석하였다. MC탄화물의 생성위치가 γ/γ' 상 보다 수지상 중심에서 가까운 것으로 MC탄화물이 γ/γ'공정상보다 먼저 응고된 것을 확인할 수 있었다. η상은 Ti가 많은 γ'상에서 변태되어 형성되었으며, γ/γ'공정상에서 η상으로의 변태에 따라 η상 근처에 PFZ가 형성되고 PFZ 내부에 TaC가 석출됨을 확인하였다. 871˚C이상의 온도에서 크리프 파단은 결정입계를 따라 진행되는 것이 명확하였으며, 표면에서 형성된 균열과 내부에서 생성된 균열이 전파, 조합되어 최종파단을 초래하였다. 결정입계 균열의 생성은 최종응시 형성된 미세공동과 밀접한 관계가 있는 것으로 분석되었으며, η상과 PFZ는 균열 생성에 큰 영향을 주지 않았다.
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3.
2001.01
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4.
2001.01
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(hfac)Cu(1, 5-DMCOD)(1, 1, 1, 5, 5, 5-Hexafluoro-2, 4-pentanedionato Cu(I) 1, 5-dimethyl-cyclooctadine) 전구체와 He 운반기체를 이용하여 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition) 방법으로 Cu 박막을 형성하였으며, He 운반기체와 함께 H2 gas 및 H(hfac) Ligand의 첨가가 Cu 박막 형성에 미치는 영향에 대하여 조사하였다. He운반기체만을 사용한 경우, Cu 박막의 증착율은 기판온도 180~230˚C에서 20~125Å/min 정도로 낮은 값을 보였으며, 특히 기판온도 190˚C에서는 매우 얇은 두께 (700Å)이면서 낮은 비저항(2.8μΩcm)을 갖는 Cu 박막이 형성됨을 알 수 있었다 He 운반기체와 함께 환원가스(H2) 및 화학첨가제 (H (hfac) ligand)의 첨가 실험에서는 낮은 기판온도 (180~190˚C) 구간에서 현저하게 증착율이 증가하였으며 얇은 두께 (~500Å)의 Cu 박막이 낮은 비저항(3.6~2.86μΩcm)을 갖는 것으로 나타났다. 또한 얇은 두께의 MOCVD Cu박막들의 표면 반사도(reflectance)는 300˚C에서 열처리한 sputter Cu의 반사도에 근접하는 우수한 surface morphology를 보였다 결국, (hfac)Cu(1,6-DMCOD) 전구체를 이용하여 얻어진 MOCVD Cu박막은 얇은 두께에서 낮은 비저항을 갖는 우수한 막질을 보였으며, Electrochemical deposition공정에서 conformal seed layer로써의 적용이 가능할 것으로 기대된다.
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5.
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본 실험에서는 Pt/Ti/SiO2/Si(100) 기판 위에 KLN 박막을 형성할 때 나타나는 4-fold 그레인의 성장 특성을 조사하기 위하여 공정 변수를 변화시키면서 박막을 제작하였다. 공정 변수는 기판 온도, 스퍼터링 압력, 고주파 전력을 선택하여 최적의 증착 조건 근방에서 공정 변수를 변화시키면서 실험하였다. K와 Li가 과량된 타겟을 사용하여 KLN 박막을 제조할 때 최적의 성장 조건은 고주파 전력 100 W, 공정압력 150 mTorr, 기판온도 600˚C이며 공정변수의 작은 변화에도 박막의 표면 형상은 매우 민감하게 변화하였다. KLN은 화합물을 구성하는 원소 사이의 증기화 온도의 차이가 많이나는 물질로서 고온 고진공의 환경에서 박막을 제조할 때 어려움이 있으며, 녹는점과 기판 온도와의 관계를 설명한 Thornton의 모델로 설명하기 어려운 현상이 나타났다. 이러한 것은 박막 물질을 이루는 구성 원소의 증기화 온도를 이용하여 이 현상을 간단하게 설명할 수 있었다.
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6.
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Fe-28%Al(Fe3Al)과 Fe-28%Al-4%Cr(Fe3Al-4Cr) 금속간화합물을 대기중 1073, 1273, 1473k의 온도에서 최고 17일까지 장시간 산화시켰다. Fe3Al-4Cr의 산화저항은 근본적으로 Fe3Al과 거의 비슷하거나, 약간 우수하였다. Fe3Al 위에 형성된 산화물은 거의 순수한 α-AL2O3로만 구성되어 있었으며, Fe3Al-4Cr 위에 형성된 산화물은 약간의 Fe와 Cr 이온이 고용된 α-AL2O3로 구성되어 있었다. 외부산화막을 형성하기 위해 모재원소의 외부확산에 의해 산화물-모재 계면에는 Kirkendall 기공이 존재하였다. Fe3Al(-4Cr) 표면에 형성된 산화막은 1273k가지는 비교적 얇고 치밀하였으나, 1473k에서 산화막의 박리와 함께 상대적으로 큰 무게증가가 발생하였다.
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7.
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8.
2001.01
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Effects of Er2O3 Addition on the Dielectric Properties of Non-reducible BaTiO3-based X7R Dielectrics
Ni 전극을 사용하는 BaTiO3계 내환원성 X7R 조성에서 Er2O3 첨가가 유전특성에 미치는 영향에 대하여 환원성 분위기에서 연구하였다. MnO2-MgO가 첨가된 내환원조성에서 첨가량이 조절된 Er2O3의 복합첨가로 유전율의 온도안정성이 향상되어 X7R 규격을 만족시켰으며 2,970 이상의 상온 유전상수와 1.0% 이하의 유전손실율이 관찰되었다. Er2O3가 3.0 mol% 이상으로 과량 첨가되었을 경우 유전체의 온도특성은 향상되었으나 상온 유전상수가 현저히 감소하였다. 다른 첨가조성(1.5 mol% Er2O32.0 mol% MgO)이 고정될 때 TCC곡선은 MnO2첨가량이 증가함에 따라 시계방향으로 회전하였으며, 온도안정성을 향상시켰다.
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9.
2001.01
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고순도알루미늄 유전체의 내부표면적을 증가시키기 위하여 1M의 염산 에칭용액에 첨가제를 사용했을 때 나타나는 에칭특성의 변화를 조사하였다. 염산용액에 에틸렌글리콜이 첨가된 혼합용액에서 에칭을 실시했을 경우 알루미늄 기지 표면에 미세하고 균일한 에치피트가 형성되어 표면적 증가 효과가 크게 나타났으며, 또한 양극 산화 후 측정된 정전용량의 결과에서도 에틸렌 글리콜이 첨가된 에칭액에서 제조된 유전체는 표면적 증가에 의한 높은 정전용량 값을 나타냈다.
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10.
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고 에너지 (1.5 MeV) 이온 주입된 Boron의 농도와 silicon 기판의 초기 산소 농도의 변화에 따라 silicon기판에 형성된 결정 결함 및 금속 불순물의 Gettering 효율에 대하여 DLTS(Deep Level Transient Spectroscopy), SIMS(Secondary ion Mass Spectroscopy), BMD(Bulk Micro-Defect) analysis 및 TEM (Transmission Electron Microscopy)을 이용하여 연구하였다. 이온 주입 전후의 DLTS 결과를 확산로 및 RTA를 이용한 열처리 전후의 DLTS 결과와 비교할 때 이온 주입 전 시편에서 볼 수 있는 공공에 의한 깊은 준위는 열처리 온도의 증가에 따라 금속 불순물과 관련된 깊은 준위로 천이함을 알 수 있다. 또한 고온 열처리의 경우, 초기 산소 농도가 높을수록 깊은 준위의 농도가 감소함을 볼 때 초기 산소 농도가 높을 수록 gettering 효율 측면에서 유리한 것으로 사료된다
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11.
2001.01
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양극산화법을 이용하여 광촉매 특성을 나타내는 TiO2 피막을 제조하고 염료의 분해반응을 통하여 광분해 효율을 조사하였다 양극산화법에 의해 제조된 산화피막은 모두 광촉매 분해특성이 있었으며 양극산화의 조건에 따라서 TiO2 피막의 성장거동과 피막 형태에 차이가 나타났다. 황산용액에서 양극산화된 TiO2 피막은 불규칙적 인 입자모양으로 anatase와 rutile이 혼합된 조직이었으며, 인산이 첨가된 혼합용액에서 형성된 TiO2는 anatase로 셀 모양의 피막형태로 생성되었다. 광촉매 특성에 적합한 양극산화의 인가 전압은 180V인 것으로 나타났다.
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