간행물
한국재료학회지 KCI 등재 SCOPUS Korean Journal of Materials Research
- 발행기관 한국재료학회
- 자료유형 학술지
- 간기 월간
- ISSN 2799-8525 (Print)2799-8681 (Online)
- 수록기간 1991 ~ 2024
- 주제분류 공학 > 재료공학 공학 분류의 다른 간행물
- 십진분류KDC 530DDC 620
권호리스트/논문검색
제2권 제3호 (1992년 6월) 10건
1.
1992.06
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TiO2가 5-50wt%첨가된 SnO2/TiO2 후막형 감습소자를 스크린 프린팅 법을 이용하여 제조 하였다. 소자의 표면결정구조를 XRD, SEM 그리고 FTIR로 조사하였으며, 전기적 특성에 의한 후막소자의 감습특성을 측정하였다. SnO2/TiO2 후막은 TiO2 결정상 보다 주로(SnO2)·6T 결정상으로 나타났으며, 1300˚C에서 소결된 후막소자의 평균입경은 2.0μm이었다. 또한 1300˚C에서 소결된 10wt% TiO2가 첨가된 SnO2/TiO2 후막소자는 상대습도 20-90%에서 높은 감습특성을 나타내었다.
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2.
1992.06
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3.
1992.06
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ZMR공정에서 발생하기 쉬운 폴리실리콘의 엉김현상(agglomeration), 슬림, 그리고 실리콘기판이 국부적으로 녹는 현상 등을 방지하기 위한 방법과 재결정화된 박막의 질을 향상시키기 위하여 폴리실리콘과 보호 산화막(capping oxide)두계를 변화시킨 실험 결과를 서술한다. 폴리실리콘의 엉김현상은 폴리실리콘과 보호 산화막 그리고 폴리실리콘과 매몰 산화막(buried oxide)의 계면에서의 wetting각과 관계되는데, 엉김현상을 방지하기 위해서는 암모니아 가스 분위기에서 1100˚C, 3시간 동안 열처리하여 폴리실리콘과 보호 산화막 그리고 폴리실리콘과 매몰 산화막의 계면에 질소를 주입시키면 된다. 실리콘 기판의 뒷면이 국부적으로 녹아 SOI구조가 파괴되는 현상과 슬립은 실리콘 기판의 뒷면을 모래타격(sandblast)하여 약 20μm의 거칠기를 가지도록 했을때 방지할 수 있었다. 재결정화된 폴리실리콘의 두께가 두꺼워짐에 따라 재결정화된 박막에서 subboundary의 간격은 넓어지고, 재결정화된 실리콘 두께의 균일성은 보호 산화막이 두꺼울수록 향상된다. 폴리실리콘의 두께를 1μm로 하였을때 subboundary의 간격은 약 70-120μm정도였고 폴리실리콘의 두께가 1μm이고 보호산화막의 두께가 2.5μm일때, 재결정화 후 실리콘의 두게 균일도는 약 ±200Å정도였다.
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4.
1992.06
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Succinonitrile을 첨가한 새로운 에폭시 수지, diglycidyl ether of bisphenol A(DGEBA)/4, 4'-methylene dianiline(MDA)/succinonitrile(SN)계의 역학적 성질을 충격 저항실험과 응력 변형실험을 통하여 곁화반응 특성과 반응기구를 근거로 하여 고찰하였다. DGEBA/MDA계에 각각 다른 succinonitrile의 함량을 포함하는 계를 80˚C에서 1.5시간 동안 경화시킨 후 완전히 경화를 이루기 위하여 150˚C에서 1시간 동안 경화시킨 후 시험한 결과 Succinonitrile의 함량이 증가함에 따라 본 계의 충격강도는 점차적으로 증가하였으나 인장강도는 감소하였다. 그리고 Young률은 거의 일정하게 나타났으며, 신도는 succinonitrile의 함량이 10phr에서 최대값을 보였다. 본 실험으고부터 얻은 결과는 succinonitrile이 첨가됨으로써 주 사슬간의 결합길이가 연장되었기 때문임을 알았고, 적당량의 succinonitrile을 첨가함으로 에폭시 수지의 유연성이 개선됨을 알 수 있었다.
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5.
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6.
1992.06
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CeO2를 첨가한 Y-Ba-Cu-0 초전도체를 포정반응을 포함한 준용용법으로 제조하여 미세조직과 초전도성을 관찰하였다. 첨가한 CeO2는 포정반응중에 BaCeO3로 변화하였으며, 이 BaCeO3는 방향성 성장한 1-2-3 초전도상의 기지에 미세하게 분산된다. 초전도체의 TC는 첨가된 CeO2함량에 관계없이 90K 이상으로 매우 높았다. 이는 준용융공정을 적용함으로서 제2상물질을 초전도상으로부터 분리할 수 있었기 때문으로 사료된다.
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7.
1992.06
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과잉의 CaO와 TiO2를 각각 포함한 CaTiO3의 결함구조를 평형상태의 전기전도도를 85O˚C와 1050˚C사이에서 산소분압의 함수로 측정하여 연구하였다. 과잉의 CaO는 A site와 B site에 나누어져서 용해되어 Cati"와 Vo", 결함을 생성하였으며, 과잉의 TiO2는 VCa"과 Vo"을 생성했다. 평형상태의 전기전도도는 CaO 용해도 5000ppm과 TiO2 용해도 2000ppm을 각각 나타냈다. 과잉의 양이온에 의하여 생성된 산소공공은 이온전도를 하여 넓은 영역의 산소 분압에 무관한 전도도 최소값을 보였으며, 반대로 대전된 음이온 결함과 결함쌍은 관찰되지 않았다.온 결함과 결함쌍은 관찰되지 않았다.
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8.
1992.06
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As+이온을 주입시킨후 열처리 방법을 달리한 Si 표면부 미세구조와 성분분석 및 전기적특성을 조사하였다. 이온주입에 의해 형성되었던 비정질층은 열처리에 의해 결정화 되었으며 열처리방법에 따라 결정화 양상의 차이를 보였다. 또한 주입된 이온의 분포 및 전기저항을 미세구조와 비교한 결과 주입된 이온의 농도가 최대인 깊이에서 최대의 손상이 발견되었으며 열처리 후에도 매우 작은 결함이 존재하였다. 하지만 이러한 작은 결함들은 전기적 성질에 큰 영향을 미치지는 않은 것으로 나타났다.
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9.
1992.06
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10.
1992.06
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Step-Coverage Consideration of Inter Metal Dielectrics in DLM Processing : PECVD and O3 ThCVD Oxides
서브마이크론 설계규칙을 갖는 소자의 이층 배선 공정에서 다챔버 장비를 이용한 금속 층간절연막의 공극없는 평탄화를 위하여 PECVD와 O3 ThCVD산화막의 증착시 층덮힘성을 연구하였다. 산화막의 두께가 증가됨에 따라 변화되는 순간단차비의 개념을 도입하여 공극형성의 개시점을 예측할 수 있는 관계식을 모델링하였고, 금속배선간격의 초기 단차비가 다양한 패턴에서 산화막의 두께에 따른 순간 단차비의 변화를 조사하였다. 모델링 검정결과 5˚이하의 re-entrant각을 갖는 TEOS에 의한 PECVO 산화막의 순간단차비가 모델링에 잘 일치하였다. 공극없는 평탄화는 제1층의 PECVD 산화막의 순간 단차비를 0.8이하로 유지하거나 Ar sputter식각을 통하여 산화막의 모서리에 경사를 준후 층덮힘성이 우수한 O3 ThCVD산화막을 증착함으로써 가능하였다. O3 ThCVD산화막의 etchback이 non etchback공정에 비하여 via접쪽저항체인에서 높은 수율을 보였으며, via접촉저항은 0.1~0.3Ω/μm2로 나타났다.
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