섬유기계산업은 생산성의 극대화를 위해 고속/정밀화를 추구하고 있으며 수요자의 요구에 따라 높은 내구성과 안정성, 신뢰성을 가진 기계를 요구하고 있다 본 연구에서는 워터제트직기를 대상으로 실제 운전 시 구동계에 토크센서를 부착하여 모듈별로 직기에 영향을 미치는 부하량을 측정 및 분석하였다 또한, 워터제트직기에 대한 동역학적 해석을 수행한 결과와 비교함으로서 섬유기계의 구동계에 대한 토크와 진동에 대한 계측 및 분석기술을 개발하고, 내구성과 안정성이 뛰어난 고부가가치의 섬유기계 개발에 대한 기초자료를 제시하였다.

통계적 방법을 사용하여 스퍼터 증착한 Ta 박막의 증착속도, 비저항, 면저항 균일도, 반사도, 응력 등의 물성을 측정하고 분석하였다. RS/1의 표면 반응 분석법에 의해 독립변수와 종속변수간의 함수관계를 예측하였으며. 이때 비저항과 면저항의 균일도 측면에서 최적조건은 증착 압력 2 mTorr, 증착 전력 8 W/cm2 및 기판온도 20˚C였다. 실험 모텔의 신뢰성 (fitness)은 풀링(pooling)하지 않은 경우 0.85 ~0.9의 값을 얻었다. 본 조건하에서 증착된 박막은 비저항 180μΩcm와 면저항 균일도 ~ 2%의 값을 가졌다. 투과전자 현미경과 X선 회절법을 이용하여 분석한 결과 증착된 박막은 100~200 정도의 결정립 크기를 갖는 β-Ta 임을 확인하였다.

본 연구에서는 Ge PAM이 선폭 미세화에 따른 C54 실리사이드화 및 실제 CMOS 트랜지스터 접합부에서의 각종 전기적 특성에 미치는 영향을, As PAM과의 비교를 통하여 관찰하였다. 평판 상에서 각 PAM 및 기판의 도핑 상태에 따른 Rs의 변화량을 측정하였으며, 각 PAM 방식은 기존의 살리사이드 TiSi2에 비해 개선된 C54 형성 효과를 보였다. 특히, Ge PAM은 n+ 기판에서 As PAM보다 효과적인 실리사이드화를 보였고, 이 경우 XRB 상에서도 가장 강한 (040) C54 배향성을 나타내었다. ~0.25μm 선폭 및 n+ 접합층에서 기존 방식에 비해 As과 Ge PAM은 각각 ~85,66%의 개선된 바저항을 보였으며, P+ 접합층에서는 As과 Ge PAM 모두 62~63% 정도의 유사한 Rs 개선 효과를 보였다. 콘택 저항에서도 각 콘택 크기 별로 바저항(bar resistance) 개선과 같은 경향의 PAM 효과를 관찰하였으며, 모든 경우 10 Ω/ct. 이하로 양호한 결과를 보였다. 누설 전류는 area 형 패턴에서는 모든 공정 조건에서<10E-14A/μm2 이하로, edge 형에서는 특히 P+ 접합부에서 As 또는 Ge PAM 적용 시<10E-13 A/μm2 이하로 다소 누설 전류를 안정화시키는 결과를 보였다. 이러한 결과는 XTEM에 의해 관찰된 바 Ge PAM 적용 시 기존의 경우에 (PAM 적용 안한 경우) 비해 유사한 평활도의 TiSi2박막 형상과 일치하였으며, 또한 본 실험의 Ge PAM 이온주입 조건이 접합층에 손상을 주지 않는 범위에서 적정화되었음을 제시하였다

W-0.4wt% Ni, W-0.8wt% Ni 활성 소결체의 Ni rich상의 양이 응력 파단 성질에 미치는 영향을 조사하기 위하여, direct load creep tester를 사용, 1000˚C~1200˚C, 수소 분위기에서 응력 파단시험을 하였다. 100시간 응력 파단 강도는 니켈 함량이 0.4wt%, 0.8wt%로 증가 함에 따라, W-0.2wt% Ni의 경우와 비교하여 1000˚C에서 43%, 90%, 1100˚C에서 35%, 60% 높았으며, 이는 초기 결정립 조대화, 비이론밀도의 상승과 시험 중 결정립 성장 때문으로 생각된다. W-0.4wt% Ni의 크리프변형 활성화 에너지는 81.3kca1/mol으로, 변형기구는 Ni rich 상을 통한 W 확산과 결정립 내부 변형이다. 응력 파단 시험 후, 파단면은 입계 파괴 양상을 나타내었다. 소결시 생성된 고립 기공이 결정입계에 있는 Ni rich상을 따라 전파하였기 때문이다.

서브마이크론 설계규칙을 갖는 소자의 이층 배선 공정에서 다챔버 장비를 이용한 금속 층간절연막의 공극없는 평탄화를 위하여 PECVD와 O3 ThCVD산화막의 증착시 층덮힘성을 연구하였다. 산화막의 두께가 증가됨에 따라 변화되는 순간단차비의 개념을 도입하여 공극형성의 개시점을 예측할 수 있는 관계식을 모델링하였고, 금속배선간격의 초기 단차비가 다양한 패턴에서 산화막의 두께에 따른 순간 단차비의 변화를 조사하였다. 모델링 검정결과 5˚이하의 re-entrant각을 갖는 TEOS에 의한 PECVO 산화막의 순간단차비가 모델링에 잘 일치하였다. 공극없는 평탄화는 제1층의 PECVD 산화막의 순간 단차비를 0.8이하로 유지하거나 Ar sputter식각을 통하여 산화막의 모서리에 경사를 준후 층덮힘성이 우수한 O3 ThCVD산화막을 증착함으로써 가능하였다. O3 ThCVD산화막의 etchback이 non etchback공정에 비하여 via접쪽저항체인에서 높은 수율을 보였으며, via접촉저항은 0.1~0.3Ω/μm2로 나타났다.

본 연구는 내냉성 연구의 기초자료를 제공하고자 우리나라 벼 20개 품종을 대상으로 냉수를 수구, 중구, 배수구, 자연구로 구분 처리하여 벼의 생육 및 주요형질간의 상호관계를 검정한 바 그 결과를 요약하면 다음과 같다. 냉수관개가 수도 생육에 미치는 영향을 보면 냉수 처리시 자연구 대비 냉수 유입구인 수구, 중구, 배수구에서 출수지연, 간장단축, 이삭추출억제, 수장단축, 수당립수의 감소 및 임실율이 저하되었고 그 정도는 중생종이 조생종보다 더 크게 나타났으며 수수의 경우는 냉수 처리에 따른 차이가 없었다. 수량의 경우 수장과 수당립수, 임실율 등 sink의 크기가 감소하여 수량의 감수를 가져왔다. 간장과 이삭 추출도와의 관계를 보면 간장과 이삭 추출도와는 정의 상관관계를 나타내었다. 품종에 따른 수량과 타형질 간의 상관관계를 보면 간장과 고도의 정의 상관을 나타내었으며(r=0.6954**), 임실비율과도 고도의 정의 상관을 나타내었다(r=0.5797**). 또한 추출도와도 유의상관이 인정되었으며(r=0.5066*) 출수기와는 부의 상관이 인정되었다(r=-0.4826*). 적고정도는 조생종의 경우 유묘기에는 금오벼를 제외한 모든 품종이 1~3의 범위에 있어 강한 편이었으나 분열기에는 3~5정도로 다소 약해졌으며 중생종의 경우 유묘기에는 약한 경향이었고 분얼기에는 다소 강하게 나타났다. 수량구성요소를 살펴보면 주요품종이 모두 냉수처리 시 이삭당 영화수, 등숙비율, 천립중이수구〉배수구〉중구〉자연구 순으로 감소하였고, 등숙비율의 경우 타형질에 비해 감소폭이 현저하였다. 수구로부터 거리에 따른 수량의 구성요소와 수량의 감소는 공시품종 모두 수구에서 수량이 가장 낮게 나타났으며 중구와 배수구로 갈수록 감소의 폭은 적은 경향이었다. '소백벼'와 '오대벼'가 '상미벼'와 '조령벼'에 비해서 수량의 감소는 더 현저하게 나타나는 경향이었다. 냉수처리 시 중산간지 주요 품종의 현미품질은 수구에 가까울수록 청미 발생율이 증가하였으나, 사미 등의 경우 일정한 경향이 없었다.