각종 전자부품에 이용되는 백금막의 밀착력과 응집화 현상에 대해 연구하였다. 온도저항계수(TCR)의 열화 없이 밀착력을 향상 시키기 위해서 AI, Si의 산화물을 adhesion promoting layer로 이용한 결과 매우 우수한 밀착력과 TCR을 보였다. 질소분위기 600-900˚C의 온도범위에서 행한 열처리를 통해 응집화현상을 관찰한 결과 응집화는 기판거칠기에 따라 다른 양상을 보였다. Si3N4등의 기판거칠기가 작은 adhesion promoting layer를 이용한 시편의 경우 고온인 900˚C에서 응집화 현상이 발생되었다. 표면거칠기가 큰 AI-Si 산화물을 adhesion promoting layer로 이용한 시편의 경우 비교적 저온인 600˚C에서 응집화 현상이 발생했으며 800˚C이상의 열처리의 경우 중앙응집체와 응집체고갈지역이 형성되는 현상을 나타내었다.

TiO2가 5-50wt%첨가된 SnO2/TiO2 후막형 감습소자를 스크린 프린팅 법을 이용하여 제조 하였다. 소자의 표면결정구조를 XRD, SEM 그리고 FTIR로 조사하였으며, 전기적 특성에 의한 후막소자의 감습특성을 측정하였다. SnO2/TiO2 후막은 TiO2 결정상 보다 주로(SnO2)·6T 결정상으로 나타났으며, 1300˚C에서 소결된 후막소자의 평균입경은 2.0μm이었다. 또한 1300˚C에서 소결된 10wt% TiO2가 첨가된 SnO2/TiO2 후막소자는 상대습도 20-90%에서 높은 감습특성을 나타내었다.