2충의 BPSG를 사용하는 서브마이크론 CMOS DRAM에 있어 전기적 특성에 관한 BPSG flow온도의 영향을 비교하였다. BPSG flow온도를 850˚C/850˚C, 850˚C/900˚C, 900˚C/900˚C의 3가지 다른 조합을 적용하여 문턱전압, 파괴전압, Isolation전압과 더불어 면저항과 접촉 저항을 조사하였다. 900˚C/900˚C flow의 경우 NMOS에서 문턱전압은 0.8μm 미만의 채널길이에서 급격히 감소하나 PMOS 경우는 차이가 없었다. NMOS와 PMOS의 파괴전압은 각각 0.7μm와 0.8μm 이하에서 급격히 감소하였다. 그러나 850˚C/850˚C flow의 경우에는 NMOS와 PMOS모두 문턱전압과 파괴전압은 채널길이 0.7μm까지 감소하지 않았다. Isolation전압은 BPSG flow온도 감소에 따라 증가하였다. 면저항과 접촉 저항은 BPSG flow온도가 900˚C에서 850˚C로 감소됨에 따라 급격히 증가되었다. 이와 같은 결과는 열처리 온도에 따라 dopant의 확산과 활성화에 관련 있는 것으로 생각된다. 접촉 저항 증가에 대한 개선 방법에 대하여 고찰하였다.

• 이상규 | Lee, Sang-Gyu
• 김정태 | 김정태
• 고철기 | 고철기