RTP로 N2O 분위기에서 제조한 Oxynitride Gate 절연체의 물질적 전기적 특성

박진성; 이우성; 심태언; 이종길

논문 상세보기

RTP로 N2O 분위기에서 제조한 Oxynitride Gate 절연체의 물질적 전기적 특성 KCI 등재 SCOPUS

Material and Electrical Characteristics of Oxynitride Gate Dielectrics prepared in N2O ambient by Rapid Thermal Process

박진성, 이우성, 심태언, 이종길

언어KOR
URLhttps://db.koreascholar.com/Article/Detail/294610

구독 기관 인증 시 무료 이용이 가능합니다. 4,000원

한국재료학회지 (Korean Journal of Materials Research)

제2권 제4호 (1992.08)
pp.285-292

한국재료학회 (Materials Research Society Of Korea)

초록

Si(100) 웨이퍼를 사용하여 RTP 장비에서 O2와 N2O 분위기에서 8nm의 oxynitride를 제조 하였다. 기존의 로(furnace) 열산화막과 비교해서 oxynitride는 I-V, TDDB 특성이 우수하였고, flat-band voltage shift도 적었으며 BF2이온 주입에 의한 붕소 투과 억제 특성도 우수하다. 유전상수는 oxynitride가 열산화막에 비해서 크다. Oxynitride는 순수한 SiO2유사하게 V 〉Φ0 구간에서 Fowler-Nordheim 터널링 특성을 나타낸다. SIMS, AES, 그리고 XPS 분석 결과 질소 pile-up이 SiO2/Si 계면에서 나타나고, 이것은 oxynitride 산화막 특성 향상과 깊은 관련이 있다.

저자

박진성 | Park, Jin-Seong
이우성 | 이우성
심태언 | 심태언
이종길 | 이종길

같은 권호 다른 논문