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C49 TiSi2상의 에피구조 및 상안정성 KCI 등재 SCOPUS
Phase stability and epitaxy of C49 TiSi2 on Si(111)
한국재료학회지
(Korean Journal of Materials Research)
제4권 제2호 (1994.04)
pp.136-142
pp.136-142
한국재료학회
(Materials Research Society Of Korea)
초록
초청장 Si(111)기탄상에 초고진공 챔버에서 Ti을 증착하여 TiSi2를 에피층으로 성장시켰다. 재구성된 (reconstructed) Di(111)표면에 상온에서 50Å 두께의 Ti을 증착한 후 100˚C간격으로 800˚C까지 열처리 하였다. TiSi2박막의 구조는 전자회절 패턴 분석을 통하여 준안정상인 C49상임을 확인하였다. SEM 사진은 세가지 형태의 island를 보이고 있다. 각 island 는 단결정이며 그 구조는 서로 다른 결정학적 방향을 갖는 에피구조이다. 이러한 TiSi2 island[112]C49 TiSi2/[110]Si, (021) C49 TiSi2/(111)Si의 방향관계를 가지고 있다.
저자
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