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Co/Si 다층박막에서의 고상반응에 의한 비정질상과 결정상의 생성 및 상전이 KCI 등재 SCOPUS

Formation of amorphous and crystalline phase, phase sequence by solid state reaction in Co/Si multilayer thin films

심재엽, 박상욱, 지응준, 곽준섭, 최정동, 백홍구
  • 언어KOR
  • URLhttps://db.koreascholar.com/Article/Detail/294754
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한국재료학회지 (Korean Journal of Materials Research)
제4권 제3호 (1994.05)
pp.301-311
한국재료학회 (Materials Research Society Of Korea)
초록

Co/Si계에서 고상확산에 의하여 비정질상이 생성되는지의 여부를 유효구동력 개념을 이용하여 예측하였으며 유효생성열 개념 및 PDF모델로부터 결정상의 생성과 상전이를 예측하였다. 한편, DSC와 XRD를 이용하여 Co/Si다층박막에서의 비정질상의 생성여부와 결정상의 생성 및 상전이를 확인하여 모델로부터 예측한 결과와 비교하였다. Co/si계에서는 비정질상이 성장하지 않았으며 이는 유효구동력 개념으로부터 예측된 결과와 일치하였다. Co/Si계에서 생성되는 최초의 결정상은 CoSi였으며 유효생성열과 PDF모델로부터 예측된 최초의 결정상은 각각 CO2Si와 CoSi였다. 따라서 Co/Si계에서 생성되는 최초의 결정상은 구조적인 요소를 고려해 PDF모델의 예측결과와 잘 일치하였다. 증착당시 Co와 Si의 조성비가 2대 1일경우와 1대 2일 경우의 상전이는 각각 CoSi → Co2Si와 CoSi → Co2Si → CoSi → CoSi2의 초기단계의 생성기구는 각각 핵생성이 율속이었으며, 이들의 생성에 필요한 활성화에너지는 각각 1.71, 2.34, 2.79eV이었다.

저자
  • 심재엽 | Sim, Jae-Yeop
  • 박상욱 | 박상욱
  • 지응준 | 지응준
  • 곽준섭 | 곽준섭
  • 최정동 | 최정동
  • 백홍구 | 백홍구
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