플라즈마 화학 증착법에 의한 Y2O3-StabilzedZrO2박막의 제조와 Capacitance-Voltage특성

최후락; 윤순길

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플라즈마 화학 증착법에 의한 Y2O3-StabilzedZrO2박막의 제조와 Capacitance-Voltage특성 KCI 등재 SCOPUS

Preparation and C-V characteristics of Y2O3-StabilzedZrO2 Thin Films by PE MO CVD

최후락, 윤순길

언어KOR
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한국재료학회지 (Korean Journal of Materials Research)

제4권 제5호 (1994.08)
pp.510-515

한국재료학회 (Materials Research Society Of Korea)

초록

플라즈마 화학 증착법으로 (100)p-type Si wafer위에 Y2O3-Stabilzed ZrO2박막을 증착하였다. 반응 기체로는 zirconium triflouracethylacetonate[Zr(tfacac) [Zr(tfacac)4], tri(2.2.6.6 tetramethy1-3, 5-heptanate) yttrium [Y(DPM)3]과 oxygen gas를 사용하였다. X-ray diffraction(XRD)과 fourier Particle induced x-ray emission(PIXE)을 통하여 Y(DPM)3 bubbling temperature가 160˚C, 165˚C, 170˚C일때 Y2O3함량이 12.1mo1%, 20.4mol%, 31.6mol%임을 알 수 있었다. C-V측정에서 Y(DPM)3 bubbling temperature가 증가함에 따라 flat band voltage가 더욱더 음의 방향으로 이동하였다.

저자

최후락 | Choe, Hu-Rak
윤순길 | 윤순길

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