저압 화학 기상 증착법으로 제작한 다결정 실리콘의 표면 형태 및 결정 성장

이은구; 박진성; 이재갑

논문 상세보기

저압 화학 기상 증착법으로 제작한 다결정 실리콘의 표면 형태 및 결정 성장 KCI 등재 SCOPUS

Surface Morphology and Grain Growth of LPCVD Polycrystalline Silicon

이은구, 박진성, 이재갑

언어KOR
URLhttps://db.koreascholar.com/Article/Detail/294855

구독 기관 인증 시 무료 이용이 가능합니다. 4,000원

한국재료학회지 (Korean Journal of Materials Research)

제5권 제2호 (1995.04)
pp.197-202

한국재료학회 (Materials Research Society Of Korea)

초록

저압 화학 기상증착법으로 제작한 비정질 실리콘의 표면 형태 및 결정 성장 과정을 증착조건과 열처리 조건의 변화에 따라 조사하였다. 비정질에서 결정으로 변화하는 전이온도인 570~590˚C에서 증착한 시편은 (311)조직의 거친 표면으로 성장하였다. 같은 증착 온도에서 두께가 두꺼울수록 다결정에서 비정질로 변화하였다. 증착하는 과정에서의 결정화는 기판에서부터 시작되지만, 진공상태를 그대로 유지하고 비정질 실리콘을 전이온도에서 열처리하면 표면 실리콘 원자가 이동하여 결정화하였다.

저자

이은구 | Lee, Eun-Gu
박진성 | 박진성
이재갑 | 이재갑

같은 권호 다른 논문