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TDMAT와 TDMAT/NH3 로 형성한 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition) Titanium Nitride 박막의 특성 KCI 등재 SCOPUS

Film Properties of MOCVD TiN prepared by TDMAT and TDMAT/NH3

  • 언어KOR
  • URLhttps://db.koreascholar.com/Article/Detail/294926
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한국재료학회지 (Korean Journal of Materials Research)
한국재료학회 (Materials Research Society Of Korea)
초록

MOCVD(Metal-Organic Chemical Vapor Dposition) TiN 박막을 다양한 온도와 압력에서 tetrakis-dimethyl-amino-titanium(TDMAT (Ti[N(CH3)2]4))의 자체 열분해와 NH3와의 반응을 사용하여 형성하였다. 비저항은 박막내의 불순물 함량에 의존하였는데 특히 XPS curve fitting 결과 주요 불순물인 탄소와 산소 같은 불순물들이 박막내에서 다양한 침입형화합물을 만들어 박막의 물리적, 전기적 특성에 영향을 준다는 것을 알았다. Metal-organic source만을 사용하여 TiN을 형성할 경우 지름이 0.5μm이고 aspect ratio가 3:1인 구멍에서 step coverage가 매우 우수하였으나 NH3를 흘림에 따라 step coverage가 감소하는 것이 SEM으로 확인되었는데 이는 각각의 활성화에너지와 관련된 것으로 보인다.

저자
  • 백수현 | Baek, Su-Hyeon
  • 김장수 | 김장수
  • 박상욱 | 박상욱
  • 원석준 | 원석준
  • 장영학 | 장영학
  • 오재응 | 오재응
  • 이현덕 | 이현덕
  • 이상인 | 이상인
  • 최진석 | 최진석