Hydride Vapor Phase Epitaxy를 이용한 Sapphire기판 상에 GaN후막의 성장특성에 관한 연구

이정욱; 유지범; 변동진; 금동화

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Hydride Vapor Phase Epitaxy를 이용한 Sapphire기판 상에 GaN후막의 성장특성에 관한 연구 KCI 등재 SCOPUS

Study on the Growth Characteristics of Think GaN on Sapphire Substrate Using Hydride Vapor phase Epitaxy

이정욱, 유지범, 변동진, 금동화

언어KOR
URLhttps://db.koreascholar.com/Article/Detail/295186

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한국재료학회지 (Korean Journal of Materials Research)

제7권 제6호 (1997.06)
pp.492-497

한국재료학회 (Materials Research Society Of Korea)

초록

HVPE를 이용하여 sapphire기판 위에서 후막 GaN의 성장특성을 조사하였다. 성장온도가 1000˚C에서 1100˚C로 증가하여도 성장속도는 영향을 받지않고 50-60μm/hr의 성장속도를 나타내었으나 표면특성과 결정성은 향상되었다. 1100˚C에서 성장된 후막 GaN는 DCXRD측정결과 451arcsec의 반티폭을 나타내었으며, PL측정결과 10K에서 19meV의 반치폭을 나타내었다. Ga 공급원의 온도가 930˚C에서 770˚C로 감소하여도 성장속도는 영향을 받지 않았으나, 770˚C의 온도에서 GaN의 결정성이 향상되었다. HCI의 양이 5sccm에서 20sccm으로 증가함에 따라 성장속도가 15μm/hr에서 60μm/hr으로 증가하였으며, 표면특성도 향상되었다.

저자

이정욱 | Lee, Jeong-Uk
유지범 | 유지범
변동진 | 변동진
금동화 | 금동화

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