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ECR 플라즈마 화학기상증착법에 의한 0.12nm SiO2 환산두계를 갖는 Pb(Zr, Ti)O3유전박막의제조 KCI 등재 SCOPUS
Fabrication of Vesy Thin Pb(Zr, Ti)O3 Dielectric Films of 0.12nm SiO2 Equivalent Thickness by ECR PECVD
김재환, 김용일, 위당문, 이원종
- 언어KOR
- URLhttps://db.koreascholar.com/Article/Detail/295207
4,000원
한국재료학회지
(Korean Journal of Materials Research)
제7권 제8호 (1997.08)
pp.635-639
pp.635-639
한국재료학회
(Materials Research Society Of Korea)
초록
ECR-PECVD법을 사용하여 450-490˚C이하의 온도에서 Pt/SiO2/Si기판 위에 PZT 박막을 증착하였다. 기판 온도가 460˚C 이하일 경우에는 페로브스이트 상과 제2상으로 이루어진 박막이 성장하였으며 기판온도가 470˚C이상일 때에는 페로브스카이트 단일상의 PZT 박막이 성장하였다. 490˚C에서 매우 얇은 페로브스카이트의 PZT 박막을 증착한 후 650˚C에서 1분간 raped thermal annealing(RTA) 처리한 결과 박막의 조성과 결정성에는 거의 변화가 없었으나 박막의 전하 저장 밀도는 크게 향상되었다. 이는 RTA 처리에 의한 저유전 계면층의 소멸이 주된 이유라고 판단된다. 열처리 후 두께 40-45nm의 PZT박막은 200kV/cm의 전장 하에서 10-6cm2이하의 누설전류값을 갖고 있었으며, 인가전압 1V에서 300fF/μm2의 정전용량, 즉 SiO2환산두께 0.12nm를 나타내었다.
저자
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