저유전율 층간절연물질인 불소첨가 SiO2박막을 ECR(electron cyclotron resonance) Plasma chemical vapor deposition 법으로 성막하였다. SiOF박막의 증착은 SiF4/O2의 가스유량비를 변수로하여 0.2에서 1.6까지 변화시켜 증착하였고, 이때 마이크로파 전력은 700W, 기판온도는 300˚C에서 행하였다. 증착된 SiOF박막의 흡습특성을 알아보기 위하여 Fourier transformed infrared spectroscopy(FTIR)을 이용하여 분석한 결과, 가스유량비 (SiF4O2)가 0.2 에서 1.6으로 증가하였을 때 Si-Ostretching피크의 위치는 1072cm-1 /에서 1088cm-1 /로 증가하였으며, Si-F2피크는 가스유량비가 1.0이상에서 나타나기 시작하였다. 또한 가스유량비가 0.2에서 0.8까지 변화하여 증착한 시편은 Si-OH 피크가 관찰되지 않았지만 가스유량비가 1.0이상(11.8at.% F함유)의 시편의 경우 Si-OH 피크가 관찰되어 내흡습성이 저하되고 있음을 확인할 수 있었다.

• 이석형 | Lee, Seok-Hyeong
• 유재윤 | 유재윤
• 오경희 | 오경희
• 박종완 | 박종완