수소화처리가 다결정 Si1-xGex박막의 전기적특성 및 표면거칠기에 미치는 영향

이승호; 이규용; 소명기; 김교선

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수소화처리가 다결정 Si1-xGex박막의 전기적특성 및 표면거칠기에 미치는 영향 KCI 등재 SCOPUS

The Effect of Hydrogenation on the Elecrical Property and the Surface Roughness of Poly-Si1-xGex Thin Film

이승호, 이규용, 소명기, 김교선

언어KOR
URLhttps://db.koreascholar.com/Article/Detail/295288

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한국재료학회지 (Korean Journal of Materials Research)

제8권 제1호 (1998.01)
pp.71-79

한국재료학회 (Materials Research Society Of Korea)

초록

RTCVD법으로 증착된 다결정 Si1-xGex박막에서 Ge조성 증가에 따른 결정립크기변화가 표면거칠기 및 cluster크기에 미치는 영향에 대해 알아본결과, Ge조성 증가에 따라 결정립크기가 증가했으며 증가된 결정립에 의해 Cluster 크기와 표면거칠기값(RMS)들이 증가함을 알 수 있었다. 또한 증착된 다결정 Si1-xGex박막을 RF power와 온도변화에 따라 Ar/H2플라즈마를 이용한 수소화처리를 행하여, 수소화 효과와 표면거칠기값 그리고 비저항값 변화에 대해 조사하였다. 수소화처리 후 cluster크기와 표면거칠기값은 기판온도와 RF power 증가에따라 감소함을 알 수 있었으며 특히 기판온도 300˚C에서는 비저항값이 상당히 증가하였다.

저자

이승호 | Lee, Seung-Ho
이규용 | 이규용
소명기 | 소명기
김교선 | 김교선

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