DMEAA를 사용해 CVD법으로 증착한 알루미늄 박막의 증착속도에 관한 수소 효과

장태웅; 이화성; 백종태; 안병태

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DMEAA를 사용해 CVD법으로 증착한 알루미늄 박막의 증착속도에 관한 수소 효과 KCI 등재 SCOPUS

Hydrogen Effect on Deposition Rate of Aluminum Thin Films from Chemical Vapor Deposition Using Dimethylethylamine Alane

장태웅, 이화성, 백종태, 안병태

언어KOR
URLhttps://db.koreascholar.com/Article/Detail/295297

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한국재료학회지 (Korean Journal of Materials Research)

제8권 제2호 (1998.02)
pp.131-134

한국재료학회 (Materials Research Society Of Korea)

초록

SiO2 기판과 dimethylethylamine alane(DMEAA)을 반응소스로 하여 알루미늄을 증착시켜 증착전 전처리 가스 종류와 수소 플라즈마 처리에 따른 증착속도의 차이와 미세구조에 대하여 연구하였다. TiN기판에 증착된 알루미늄의 증착속도는 증착전 수소 가스에 의한 전처리한 경우 아르곤이나 헬륨에 의한 전처리에 비해 빠른 증착속도를 나타내었다. 이르곤 플라즈마 전처리나 플라즈마 전처리 하지 않고 SiO2기판에 알루미늄을 증착하였을 경우에 비해 수소 플라즈마 전처리에 의해 알루미튬증착시 잠복기(incubation time)가 감소하였으며 치밀한 미세조직을 얻을 수 있었다.

저자

장태웅 | Jang, Tae-Ung
이화성 | 이화성
백종태 | 백종태
안병태 | 안병태

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