N2O 플라즈마 열처리에 의한 저유전율 SiOF 박막의 물성 안정화

김윤해; 이석규; 김선우; 김형준

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N2O 플라즈마 열처리에 의한 저유전율 SiOF 박막의 물성 안정화 KCI 등재 SCOPUS

Stabilizing Properties of SiOF Film with Low Dielectric Constant by N2O Plasma Annealing

김윤해, 이석규, 김선우, 김형준

언어KOR
URLhttps://db.koreascholar.com/Article/Detail/295327

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한국재료학회지 (Korean Journal of Materials Research)

제8권 제4호 (1998.04)
pp.317-322

한국재료학회 (Materials Research Society Of Korea)

초록

플라즈마 화학기상증착법에 의해 증착된 저유전율 SiOF박막의 물성 안정화를 위하여 증착후 N2O플라즈마로 열처리함으로써 그 특성을 평가하였다. SiOF박막은 대기방치 및 열처리에 불안정한 성질을 가진다. SiOF 박막은 박막내의 F-Si-F 결합의 존재 때문에 흡습현상이 발생하며, 박막내의 F함량이 증가함에 따라 수분 흡수가 증가한다. 또한 열처리를 거치면서 F이 탈착되어 박막내의 F함량이 감소한다. N2O플라즈마 열처리는 표면에 얇은 SiON층을 형성시킴으로써 박막을 안정화시키는데 효과적이었다. 그러나 장시간의 N/sun 2/O플라즈마 열처리는 유전율을 크게 증가시킨다. 따라서 N2O플라즈마 열처리에 의한 유전율의 증가없이 물성을 안정화 시키기 위해서는, 대기방치나 열처리에 의한 안정화 효과를 유지하면서 N2O플라즈마 열처리에 의한 유전율의 증가를 최소화시킬 수 있는 공정의 확립이 필요하다.

저자

김윤해 | Kim, Yoon-Hae
이석규 | 이석규
김선우 | 김선우
김형준 | 김형준

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