논문 상세보기
HF 세정후 자연 산화막의 존재가 티타늄 실리사이드 형성에 미치는 영향 KCI 등재 SCOPUS
The Effect of Native Oxide on the TiSi2 Transformation after HF Cleaning
배종욱, 현영철, 유현규, 이정용, 남기수
- 언어KOR
- URLhttps://db.koreascholar.com/Article/Detail/295349
4,000원
한국재료학회지
(Korean Journal of Materials Research)
제8권 제5호 (1998.05)
pp.464-469
pp.464-469
한국재료학회
(Materials Research Society Of Korea)
초록
HF 세정후 자연 산화막의 존재가 급속 열처리 장비를 이용, 아르곤 분위기에서 열처리할 때 티타늄 실리사이드 형성을 관찰하였다. 고분해능 단면 투과 전자 현미경 관찰 결과 기판 온도가 상온일 때 자연산화막(native oxide)이 존재함을 확인하였으며 기판 온도가 400˚C일 때는 실리콘 기판과 티타늄 박막의 계면 부위에서 자연산화막, 티타늄 및 실리콘이 혼합된 비정질층이 존재함을 확인하였다. 티타늄을 증착하는 동안 기판 온도를 400˚C로 유지했을 때는 C54~TiSi2상이 형성되는데 요구되는 급속 열처리(Rapid Thermal Annealing : RTA)온도가 기판 온도를 상오느로 유지 했을 때보다 100˚C정도 감소함을 확인하였다. 이 같은 결과는 산소불순물을 함유한 비정질 층이 핵생성 자리를 제공하여 이 상의 형성이 촉진된다는 사실을 말한다. 기판온도 400˚C에서 형성된 티타늄 실리사이드막의 경우 비저항 μΩcm임을 확인하였다.
저자
같은 권호 다른 논문
