최근 보령 지역의 후기 트라이아스기 아미산층에서 다량의 화석 강도래 유충이 발견되었다. 이들의 유충은 그 형태적 특징에 의해 Platyperlidae과, Baleyopterygidae과, Siberioperlidae과 등으로 분류되었다. 이 중 양적으로 가장 많 이 발견되는 종류는 Baleyopterygidae과의 화석 강도래이다. 이러한 사실은 강도래가 러시아, 몽골 및 중국을 비롯한 동 북아시아 지역까지 이미 중생대부터 넓게 분포했음을 의미한다. 현생 강도래는 대부분 유수성이며 맑은 물에 서식하기 때문에 화석 강도래가 발견되는 보령 지역도 유사한 환경이었을 것으로 추정된다. 또한 강도래와 함께 발견되는 화석들 로 미루어 볼 때 당시의 강도래는 하루살이나 패갑류 등을 먹고 살았던 것으로 추정된다.

포항시 마이오세 두호층에서 2개의 신생대 어류 화석들이 발견되었다. 두호층에서 발견된 이 어류 화석들은 다 음과 같은 근거로 도다리속으로 동정되었다. 첫째, 앞쪽 등지느러미가 두개부 위까지 연장되어 뻗어있다. 둘째, 두개골 에서 안와는 모두 오른쪽에 몰려있는 비대칭성을 갖는다. 셋째, 낚시 바늘 모양의 미설골을 지닌다. 넷째, 미설골의 좌 골부가 꺾여있다. 다섯째, 후의쇄골이 존재한다. 여섯째, 척추체의 개수가 27개를 넘는다. 일곱째, 첫 번째 뒷지느러미 담기골이 연장되어 있다. 여덟째, 미설골의 내연부가 ‘c’자 형태를 갖는다. 아홉째, 분문돌기가 작거나 거의 없다. 열째, 몸에 여러 반점들이 존재한다. 도다리속 어류 화석은 동아시아에서 최초로 보고되는 것이다. 두 표본은 두개골의 비대 칭성과 납작한 정도에서 해부학적 차이가 존재한다. 이는 가자미과 어류의 독특한 개체발생 단계를 나타내는 데, 그들 은 표영성 생활 양식에서 저서성 생활 양식으로 전환할 때 위와 같은 해부학적 차이를 수반하기 때문이다.

최근 충남 보령 일대에 분포하는 후기 트라이아스기의 아미산층에서 밑들이목에 속하는 날개 화석이 처음 발견되었다. 날개 화석은 그 맥의 특징에 의해 Mesopsychidae과의 Mesopsyche dobrokhotovae로 분류되었다. 이 속에 속하는 화석 곤충은 후기 트라이아스기에 세계적인 분포를 보이며 상당히 번성한 그룹이었다고 추정된다. 현생의 밑들이는 나뭇잎, 식물 줄기 등에 매달려 있거나 습한 환경에서 작은 곤충을 섭식하며 생활한다. 따라서 밑들이 화석의 존재는 후기 트라이아스기 동안 남포 층군이 퇴적될 당시의 서식 환경이 이미 현생의 환경과 상당히 비슷했다는 것을 지시한다. Mesopsyche dobrokhotovae는 우리나라에서 발견된 곤충화석 중 가장 오래된 화석의 하나이며 밑들이 화석으로는 최초의 기록이다.

HBr을 이용한 트렌치 식각시 식각 방지막의 형성과 이들이 결함 생성 및 분포에 미치는 영향을 고분해능 투과전자현미경을 이용하여 연구하였다. O2 및 다른 첨가 가스로 SiOxFy, SiOxBry 등의 식각 방지막을 표면에 형성시켜 벽면 undercut을 방지하고 표면의 거칠기를 감소할 수 있었으며, 이후의 트렌치 채움 공정에서 void 가 없는 잘 채원진 구조를 얻을 수 있었다. 형성된 식각 방지막은 격자 결함의 생성 및 이들의 분포에 영향을 미쳤다. 대부분의 식각 유도 결함들은 트렌치 바닥의 가장자리에서 10Å 이내의 깊이로 분포하였으며, 잔류막의 두께에 의존하였다. 두꺼운 잔류막층 아래로는 결함들이 거의 사라졌으며, 결함층의 깊이와 잔류막 두께는 대체로 반비례하는 것을 나타났다. 기판 내에 존재하는 결정학적인 결함들은 식각종의 입사각이나 에너지에 의존하는 반면에,식각된 표면에서 관찰되는 결함들은 트렌치 식각동안 형성되는 이러한 잔류막의 두께에 크게 의존하는 것으로 나타났다.

HF 세정후 자연 산화막의 존재가 급속 열처리 장비를 이용, 아르곤 분위기에서 열처리할 때 티타늄 실리사이드 형성을 관찰하였다. 고분해능 단면 투과 전자 현미경 관찰 결과 기판 온도가 상온일 때 자연산화막(native oxide)이 존재함을 확인하였으며 기판 온도가 400˚C일 때는 실리콘 기판과 티타늄 박막의 계면 부위에서 자연산화막, 티타늄 및 실리콘이 혼합된 비정질층이 존재함을 확인하였다. 티타늄을 증착하는 동안 기판 온도를 400˚C로 유지했을 때는 C54~TiSi2상이 형성되는데 요구되는 급속 열처리(Rapid Thermal Annealing : RTA)온도가 기판 온도를 상오느로 유지 했을 때보다 100˚C정도 감소함을 확인하였다. 이 같은 결과는 산소불순물을 함유한 비정질 층이 핵생성 자리를 제공하여 이 상의 형성이 촉진된다는 사실을 말한다. 기판온도 400˚C에서 형성된 티타늄 실리사이드막의 경우 비저항 μΩcm임을 확인하였다.