XPS와 glancing angle XRD, AES 및 AFM을 사용하여 330˚C-800˚C사이의 진공분위기에서 열처리할 때, Co/Nb이중층과 SiO2기판 사이의 계면반응을 조사하였다. 600˚C에서 Co와 Nb는 서로 활발하게 확산하여, 700˚C이상에서는 두 층사이의 충역전이 완전히 일어났다. 그 때 Nb 중간층과 SiO2기판 사이의 반응에 의하여 계면에 일부 NbO가 형성되었으며, 표면에서는 분위기 중의 산소에 의하여 Nb2O5가 생성되었다. Nb와 기판간의 반응에 의하여 유리된 Si는 600˚C이상에서 잔류 Co 및 Nb와 반응하여 실리사이드를 형성하였다. Co/Nb 이중층 구조는 800˚C에서 열처리한 후 면저항이 급증하기 시작하였는데, 이것은 Co층이 기판과 바로 접하게 되어 계면에너지를 줄이기 위해 응집되기 때문이다.