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활성화 이온빔 처리된 사파이어 기판상 MOCVD로 성장시킨 GaN의 열처리 효과 KCI 등재 SCOPUS
Effects of Postannealing on GaN Grown by MOCVD on Reactive ion Beam Pretreated Sapphire Substrate
이상진, 변동진, 홍창희, 김긍호
- 언어KOR
- URLhttps://db.koreascholar.com/Article/Detail/295815
4,000원
한국재료학회지
(Korean Journal of Materials Research)
제11권 제3호 (2001.03)
pp.191-196
pp.191-196
한국재료학회
(Materials Research Society Of Korea)
초록
사파이어 (0001) 기판의 활성화 이온빔 (RIB) 처리 후 MOCVD에서 성장한 GaN박막의 열처리를 통한 구조 변화를 살펴보고, 전기적 성질의 변화를 관찰하기 위하여 전기로를 이용하여 열처리를 하였다. 시편의 분석을 위하여 DCXRD, Hall, TEM을 사용하였다. 1000˚C에서 시간을 변화시키면서 열처리한 시편에서 DCXRD의 FWHM는 약 50 arc-sec 정도 감소하였고, Hall 이동도는 약 80cm2/V.sec 정도 향상되었다. 가장 좋은 Hall 이동도를 보인 처리된 시편과 처리 전 시편의 TEM 비교 관찰에서 전위 밀도는 56~69% 정도 감소하였고 격자의 변형도 줄어들었다. 이것은 결정의 질과 전기적 성질 사이의 상관관계를 암시하며, 기판의 RIB 처리와 성장 후 적절한 열처리의 조합이 MOCVD로 성장시킨 GaN 박막의 특성을 개선시키는 것을 명확하게 보여준다.
키워드
열처리GaNMOCVOreactive ion beam
저자
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