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In0.5(Ga1-xAlx)0.5P/GaAs 이중 이종접합 구조에 대한 표면 광전압 특성 KCI 등재 SCOPUS

Surface Photovoltage Characteristics of In0.5(Ga1-xAlx)0.5P/GaAs Double Heterostructures

  • 언어KOR
  • URLhttps://db.koreascholar.com/Article/Detail/295886
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한국재료학회지 (Korean Journal of Materials Research)
한국재료학회 (Materials Research Society Of Korea)
초록

Metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD)으로 성장한 In0.5 (Gal1-x Alx )0.5P/GaAS 이중 이종접합 구조의 특성을 표면 광전압 (surface Photovoltage ; SPV) 측정으로 연구하였다. In0.5(Gal1-x Alx )0.5P/GaAS 이중 이종접합 구조의 SPV 측정값을 Lorentzian 피팅한 띠 간격에너지 (E0 ) 값과 조성비 (x)로 구한 이론 값이 잘 일치하였다. 그리고 변조 주파수 의존성을 측정한 결과 SPV 신호의 형태는 변하지 않고, 신호의 크기만이 변하는 것은 광 조사에 따른 전기적 상태의 과도 현상에 따른 것이고, GaAs와 InGaAlP의 특성시간의 차이는 광 캐리어의 수명의 차이로 분석된다. 그리고 온도 의존성 측정으로 In0.5 /(Gal1-x Alx )0.5P/GaAS 이중 이종 접합 시료의 균일한 변형분포와 계면상태가 양호함을 알 수 있었다.

저자
  • 김기홍 | Kim, Ki-Hong
  • 최상수 | 최상수
  • 배인호 | 배인호
  • 김인수 | 김인수
  • 박성배 | 박성배