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pp.53-57
CdSe/CdZnS core/shell/lignad 구조를 가지는 red quantum dot을 발광층으로 사용하여 indium tin oxide(양전 극) glass위에 molybdeum oxide (MoO3), Poly(9-vinylcarbazole)(PVK), CdSe/CdZnS quantum dot, Zinc Oxide (ZnO)을 순차적으로 스핀코팅을 하고, aluminium(Al)(음전극)을 진공 열증착을 통해 다층구조를 제작하여 연구를 진 행하였다. 본 연구에 사용된 quantum dot의 PL peak는 625 nm으로 관찰되었다. 제작된 소자는 약 7 V에서 발광하 기 시작하였으며, 이를 소자의 turn-on voltage로 판단하였다. 인가전압이 증가할수록 소자의 전류밀도와 휘도의 지수 함수적 증가를 관찰할 수 있었다. EL 스펙트럼의 peak는 11 V에서 627 nm이다가, 최대 동작전압인 19 V에서는 630 nm로 red shift 하였다. 소자의 최대 밝기는 210 cd/m2, 최대 전류밀도는 33 mA/cm2, 최대 전류효율은 0.5 cd/A로 측 정되었다.
Red electroluminescence behavior of CdSe/CdZnS core/shell/ligand quantum dots between hole injection layer(MoO3), hole transport layer(PVK) and electron transport layer(ZnO) were investigated. The PL peak of the quantum dot used in this study was observed at 625 nm. The fabricated device started to emit light at about 7 V and defined as the turn-on voltage of the device. As the applied voltage increases, the current density and luminance increase exponentially. The peak of the EL spectrum was 627 nm at 11 V and red shifted to 630 nm at the maximum operating voltage of 19 V. The maximum brightness of the device was 210 cd/m2, the maximum current density was 33 mA/cm2, and the maximum current efficiency was 0.5 cd/A.
