A transparent quantum dot (QD)-based light-emitting diode (LED) with silver nanowire (Ag NW) and indium-tin oxide (ITO) hybrid electrode is demonstrated. The device consists of an Ag NW-ITO hybrid cathode (-), zinc oxide, poly (9- vinylcarbazole) (PVK), CdSe/CdZnS QD, tungsten trioxide, and ITO anode (+). The device shows pure green-color emission peaking at 548 nm, with a narrow spectral half width of 43 nm. Devices with hybrid cathodes show better performances, including higher luminance with higher current density, and lower threshold voltage of 5 V, compared with the reference device with a pure Ag NW cathode. It is worth noting that our transparent device with hybrid cathode exhibits a lifetime 9,300 seconds longer than that of a device with Ag NW cathode. This is the reason that the ITO overlayer can protect against oxidization of Ag NW, and the Ag NW underlayer can reduce the junction resistance and spread the current efficiently. The hybrid cathode for our transparent QD LED can applicable to other quantum structure-based optical devices.

본 연구의 목적은 도시습지에 복원사업을 시행한 금개구리 개체군의 번식울음 및 번식울음에 영향을 미치는 환경 요인 특성을 밝히는데 있다. 연구대상지는 서울시 구로구 궁동저수지 생태공원이었다. 연구기간은 2018년 5월부터 8월까지이었다. 연구대상종은 복원사업을 시행한 금개구리와 동일한 지역에 번식울음을 내고 있는 청개구리, 맹꽁이 등도 포함하였다. 번식울음 및 환경소리 측정은 생물음향 측정기기(Songmeter SM4)를 습지를 바라보도록 수변의 수목에 설치(높이 1.2m)하였고, 시간당 5분씩 24시간 녹음되도록 스케쥴을 설정하였다. 기상요인은 국가기후데이터센터(http://sts.kma.go.kr/)의 서울지역 기상청 자료를 분석하였다. 연구결과는 다음과 같다. 첫 번째 연구대상지에서 관측된 양서류는 금개구리, 청개구리, 맹꽁이 3종이었다. 두 번째 일별 번식울음 분석결과, 금개구리와 청개구리는 녹음을 시작한 5월 23일에 이미 번식울음을 시작한 상태이었고 금개구리는 8월 31일 울음을 종료하였고, 청개구리는 8월 이후에도 울음을 지속하였다. 맹꽁이는 6월 26일에 시작하여 7월 12일에 번식울음을 종료하였고, 중간에 울음을 울지 않은 날을 제외한 실질적인 번식울음 일수는 7일이었다. 세 번째 금개구리 울음빈도는 조사기간 중 5월 24, 25, 26일 3일간 13시간 이상으로 가장 높았고, 이외에는 1~8시간 정도로 울음빈도가 낮아졌다. 네 번째 장마가 시작되는 6월 26일부터 7월 2일 사이에 양서류 3종 모두 집중적으로 번식 울음을 내었다. 8월 초부터 8월 중순까지 온도가 높은 기간 동안에는 금개구리와 청개구리의 울음빈도가 낮았다. 다섯 번째 번식울음의 일주기 패턴 분석 결과 금개구리와 청개구리는 19시에 울음을 시작하여 21시부터 15시까지 피크를 형성하였고, 낮시간 동안에는 거의 울지 않았다. 맹꽁이는 20시부터 06시까지 울음을 내었고 04에 피크를 형성하였다. 여섯 번째 연구대상종이 번식울음을 내는 평균온도 분석결과 금개구리는 21.86℃(최저 11℃~최고 33℃) 청개구 리는 22.94℃(최저 12℃~최고 31℃), 맹꽁이는 22.44℃(최저 19℃~최고 25℃)이었다. 금개구리, 청개구리, 맹꽁이 번식울음에 대한 평균온도의 분산분석 결과 금개구리와 맹꽁이는 동일집단으로 청개구리는 다른 집단으로 구분되어 금개구리와 맹꽁이가 청개구리보다 낮은 온도에서 울음을 내는 것으로 나타났다. 본 연구결과는 향후 도시습지에 멸종 위기종인 금개구리 복원사업 시행을 위한 기초자료로 활용 가능할 것으로 판단된다.

CdSe/CdZnS core/shell/lignad 구조를 가지는 red quantum dot을 발광층으로 사용하여 indium tin oxide(양전 극) glass위에 molybdeum oxide (MoO3), Poly(9-vinylcarbazole)(PVK), CdSe/CdZnS quantum dot, Zinc Oxide (ZnO)을 순차적으로 스핀코팅을 하고, aluminium(Al)(음전극)을 진공 열증착을 통해 다층구조를 제작하여 연구를 진 행하였다. 본 연구에 사용된 quantum dot의 PL peak는 625 nm으로 관찰되었다. 제작된 소자는 약 7 V에서 발광하 기 시작하였으며, 이를 소자의 turn-on voltage로 판단하였다. 인가전압이 증가할수록 소자의 전류밀도와 휘도의 지수 함수적 증가를 관찰할 수 있었다. EL 스펙트럼의 peak는 11 V에서 627 nm이다가, 최대 동작전압인 19 V에서는 630 nm로 red shift 하였다. 소자의 최대 밝기는 210 cd/m2, 최대 전류밀도는 33 mA/cm2, 최대 전류효율은 0.5 cd/A로 측 정되었다.

CdSe/CdZnS core/shell/lignad 구조를 가지는 red quantum dot을 이용하여 indium tin oxide(양전극) glass 위에 poly(3,4-ethylenedioxythiophene)-poly(styrenesulfonate)(PEDOT:PSS), CdSe/CdZnS quantum dot, 2,2,2"-(1,3,5-Benzinetriyl)-tris (1-phenyl-1-H-benzimidazole) (TPBi)을 순차적으로 스핀코팅을 하고, aluminium(Al) (음전극)을 진공 열증착 통해 다층구조를 제작하여 연구를 진행하였다. 본 연구에 사용된 quantum dot의 PL 측정과 흡수스펙트럼 측정을 통해 644 nm에서 PL peak가 나타나고, 602 nm에서 흡수 peak를 관찰할 수 있었다. 제작된 소 자는 8 V에서 발광하기 시작하여, 이는 turn-on voltage로 판단하였다. 전압이 증가함에 따라 전류밀도와 휘도가 지 수함수적인 증가를 보였다. 스펙트럼의 peak는 11 V에서 629 nm이다가, 최대 동작전압인 17 V에서는 645 nm로 red shift하였고, 반치폭 또한 11 V에서 44.6 nm이다가 17 V에서는 52.3 nm로 넓어지는 것을 관찰할 수 있었다. 스펙트 럼의 변화에 따라 색좌표도 변화하는 것을 관찰할 수 있었다.

The Charge Trap Flash (CTF) memory device is a replacement candidate for the NAND Flash device. In this study,Pt/Al2O3/La2O3/SiO2/Si multilayer structures with lanthanum oxide charge trap layers were fabricated for nonvolatile memorydevice applications. Aluminum oxide films were used as blocking oxides for low power consumption in program/erase operationsand reduced charge transports through blocking oxide layers. The thicknesses of SiO2 were from 30Å to 50Å. From the C-Vmeasurement, the largest memory window of 1.3V was obtained in the 40Å tunnel oxide specimen, and the 50Å tunnel oxidespecimen showed the smallest memory window. In the cycling test for reliability, the 30Å tunnel oxide sample showed an abruptmemory window reduction due to a high electric field of 9~10MV/cm through the tunnel oxide while the other samples showedless than a 10% loss of memory window for 104cycles of program/erase operation. The I-V measurement data of the capacitorstructures indicated leakage current values in the order of 10-4A/cm2 at 1V. These values are small enough to be used in non-volatile memory devices, and the sample with tunnel oxide formed at 850oC showed superior memory characteristics comparedto the sample with 750oC tunnel oxide due to higher concentration of trap sites at the interface region originating from the roughinterface.

In order to investigate the effect of ginseng saponins on the activity of lipoprotein lipase, it was attempted to conform the enzymatic hydrolysis of chylomicron with post-heparin induced plasma lipoprotein lipase of normal rabbit in vitro. And the activity of lipoprotein llipase was determined by the quantitative determination of liberated free fatty acids on the hydrolysis of chylomicron. As the result, it was observed that the ginseng saponins accelerated the hydrolysis of chylomicron by post-heparin plasma in vitro. And the optimum concentration of ginseng saponins for the activity of the lipoprotein lipase in the 2% bovine serum albumin was 10-4%. But ginseng saponins on the hydrolysis of chylomicron was influenced by the presence and the absence of albumin. And the optimum concentration of albumin and Na-cholate on the activity of lipoprotein lipase was each of the 10-6% albumin and 5mM Na-cholate. From these results, it seems that ginseng saponins might stimulate the intravascular hydrolysis of chylomicron.