반도체 제조공정 중 포토리소그래피는 반도체 제조 중 핵심 기술이며 웨이퍼위에 나노급의 패턴을 제조하는 공정이다. 웨이퍼상의 패턴이 나노급으로 작아지면서 더욱 정밀한 공정을 위하여 photo-resist 용액의 정제 기술이 매우 중요하다. photo-resist 용액 내 soft particle은 포토리소그래피 공정 중 불량을 유발하는데, 현재 개발되어진 멤브레인은 soft particle 제거 성능이 낮다. 따라서 photo-resist 용액 내 soft particle을 제거하기 위하여 PE 지지체 위에 Nylon 고분자를 함침하여 soft particle 정제 특성을 살펴보았다. 또한 팔라듐 나노입자를 합성하여 투과 특성실험에 사용하였다.

• 권세이(한국화학연구원) | Sei Kwon
• 이혜진(한국화학연구원) | Hye-Jin Lee
• 안은숙(한국화학연구원) | Eun-Sook Ahn
• 김인철(한국화학연구원) | In-Chul Kim