본 연구에서는 비불소계 트리이소프로필 아민 아세테이트 (TAA) 화합믈을 사용하여 반도체 웨이퍼의 포토레지스트 패턴 건조 성능을 조사하였으며, 초임계이산화탄소 용 계면활성제로 잘 알려진 불소계 저분자량 화합물, PFPE-COOH 및 PFPE-COO-NH4 +과 비교하였다. 초임계 공정 후 얻어진 포토레지스트 패턴의 모양은 이산화탄소 압력, 온도, 시간 등 공정 처리 조건에 따라 달라졌으며, 최적의 조건에서 포토레지스트 패턴 붕괴가 거의 없는 결과를 얻을 수 있었다. TAA를 사용하는 초임계 세정은 PFPE-COOH에 비해 다소 떨어지지만 일반 습식 세정 방법보다는 우수한 패턴 형성 성능을 나타내었으며, 이것은 경제적이고 환경친화적인 새로운 계면활성제로서의 가능성을 보였다.

In this study, drying of photoresist patterns on semiconductor wafers was investigated using a triisopropyl amine acetate (TAA) compound and the result was compared with fluorinated low molecular weight compounds, PFPE-COOH and PFPE-COO-NH4 + which were well known as surfactants for supercritical carbon dioxide. The shape of photoresist patterns after the supercritical process depended on processing conditions such as pressure, temperature, treating time, etc, and photoresist patterns collapsed negligibly under optimal conditions. Supercritical cleaning using TAA showed better performance than normal wet cleaning methods although somewhat worse than PFPE-COOH. The TAA compound can be suggested as a potential surfactant that is economical and environmentally friendly.

요 약
 Abstract
 1. 서 론
 2. 실 험
 3. 결과 및 고찰
 4. 결 론
 References

• 임권택(부경대학교 융합디스플레이 공학과) | Kwon Taek Lim (Department of Display Engineering, Pukyong National University)
• 황하수(부경대학교 융합디스플레이 공학과) | Ha Su Hwang (Department of Display Engineering, Pukyong National University)
• 김현정(부경대학교 융합디스플레이 공학과) | Hyun Jung Kim (Department of Display Engineering, Pukyong National University)