저온 조건하에서 추파 청예작물의 의한 질산태 질소 흡수 및 이용에 대한 대사기전을 규명하기 위해 호밀과 사초용 유채의 생육온도를 5 ∘ C 및 25 ∘ C 로 처리 후 뿌리를 양분하여 14 N 과 15 N 을 각각 공급하여 15 N 의 식물체내 이동을 추적하였다. 5 ∘ C 에서 9일간 호밀과 유채에 의해 흡수된 질산태 질소의 함량은 25 ∘ C 처리구에 비해 각각 59.3% 및 27.1%가 감소하였다. 25 ∘ C 조건하에서 9일간 호밀 및 유채에 있어 흡수된 질산태 질소의 약 2.5% 및 7.6%가 뿌리로 전이되었고, 5 ∘ C 조건하에서는 뿌리로 전이된 질산태 함량은 각각 3.8% 및 10.9%로 증가하였다. 목부를 통해 잎으로 전이된 질소의 함량은 25 ∘ C 조건하의 호밀 및 유채에서 개체당 각각 55.9 및 54.4 mg N이었으며, 5 ∘ C 에서는 각각 22.1 및 38.8 mg N으로 저온 처리에 의해 목부를 통한 전이된 질소 함량은 각각 60.4% 및 28.8%가 감소되었음을 보여 주었다. 호밀과 유채 공히 체관부를 통해 잎에서 뿌리로 전이된 질소의 함량은 다른 경로를 통한 질소 전이량에 비해 가장 낮았으며, 저온 처리에 따른 전이량의 변화폭 역시 가장 낮았다. 25 ∘ C 조건하에서 호밀 및 유채에 있어 총 흡수된 질소의 2.5% 및 0.5%이었으며, 5 ∘ C 조건하에서 이 비율은 각각 5.2% 및 0.9%로 증가하였다.
With 15 N labeling under split roots system of winter rye (Secale cereale L.) and forage rape (Brassica napus L.) grown at 5 ∘ C and 25 ∘ C , the N flows were respectively quantified to investigate the transport of newly absorbed nitrate-N in whole plant level at low temperature. Comparing with 25 ∘ C culture condition, the total absorbed nitrate-N content at 5 ∘ C decreased to 59.3% and 27.1% in winter rye and forage rape during 9 days. About 2.5% and 7.6 % of nitrate-N were transported into roots, respectively, in winter rye and in forage rape at 25 ∘ C . These proportions increased at 5 ∘ C to 3.8% and 10.9%, respectively. Total N contents transferred by xylem in winter rye grown and forage rape grown at 25 ∘ C during were 55.9 and 54.4 mg N/plant, respectively. xylem flows at 5 ∘ C were 60.4% and 28.8% lower than at 25 ∘ C for winter rye and forage rape. These valves represented that averagely 96.8 % and 90.8% of total absorbed nitrate-N were transferred to leaves in winter rye and forage rape during 9 days. Phloem flows were the smallest among other N flows and were much less influenced by temperature treatment for two species examined. About 2.5% and 0.5% of absorbed N were recycled into roots by phloem transport at 25 ∘ C , respectively, for winter rye and forage rape. These proportions increased to 5.2% and 0.9% at 5 ∘ C .