The monolayer engineering diamond particles are aligned on the oxygen free Cu plates with electroless Ni plating layer. The mean diamond particle sizes of 15, 23 and 50 μm are used as thermal conductivity pathway for fabricating metal/carbon multi-layer composite material systems. Interconnected void structure of irregular shaped diamond particles allow dense electroless Ni plating layer on Cu plate and fixing them with 37-43% Ni thickness of their mean diameter. The thermal conductivity decrease with increasing measurement temperature up to 150oC in all diamond size conditions. When the diamond particle size is increased from 15 μm to 50 μm (Max. 304 W/mK at room temperature) tended to increase thermal conductivity, because the volume fraction of diamond is increased inside plating layer.

비불소계 스티렌 고분자 전해질 막의 산화안정성을 개선하기 위해 p-methyl styrene, t-butyl styrene, α-methyl styrene과 같은 스티렌 유도체를 단독 또는 복합으로 도입하고 모노머 흡수법을 이용하여 막을 제조하였다. 제조된 막의 특성분석으로 중합무게비, 함수율, 이온교환용량, 수소이온 전도도 및 가속조건에서의 산화안정성을 조사하였다. 사용된 스티렌 유도체의 구조 및 특성에 따라 모노머 흡수, 중합 및 술폰화 단계가 영향을 받는 것으로 나타났다. 산화적으로 안정한 고분자를 형성하는 α-methyl styrene은 중합 단계가 어렵기 때문에 스티렌 또는p-methyl styrene과 공중합하여 제조하였고 p-methyl styrene과 공중합된 α-methyl styrene 막은 스티렌과 공중합한 막보다 높은 전도도 및 안정성을 나타내었으나 낮은 분자량으로 인해 안정성의 개선을 크게 보이지 못하였다. 벤젠 고리에 큰 치환기를 갖는 t-butyl styrene은 모노머 흡수 및 술폰화과정이 용이하지 않기 때문에 제조된 막의 성능이 감소하였으며 이를 p-methyl styrene과 공중합할 때 우수한 성능과 스티렌막보다 크게 개선된 안정성을 보였다.