목 적: 중심파장이 656.3nm에서 반치폭이 약 8nm이고 투과율이 92%인 협대역 H-α imaging 필터를 설계·제작하고, 이 필터의 박막 특성을 연구하고자 한다. 방 법: 전자빔 증착기를 이용하여 Ti3O5/SiO2 다층박막으로 656.3nm 대역투과필터와 Hb600 적외선 차단필터를 만든 후, 분광광도계로 투과율과 대역폭을 확인하였다. SEM사진을 이용하여 적외선차단필터 단면을 관찰하였고, XRD 데이터로부터 박막의 구조를 알 수 있었으며, XPS 분석으로부터 박막 성분을 확인하였다. 결 과: 협대역 H- imaging 필터에서 대역투과필터의 최적조건은 30층, 반사방지막 코팅층은 6층, 적외선차단필터는 32층으로 설계·제작되었다. 제작된 H- imaging 필터의 최대파장피크가 이론치에 비교했을 때 약 0.7nm로 공차가 거의 없는 것을 알 수 있었다. XRD 분석으로 대역투과 필터와 반사방지막 코팅층은 비정질로, 적외선 차단 필터는 결정질으로 코팅되는 것을 확인하였다. SEM 사진에 의해 적외선 차단필터의 코팅 층을 확인하였고, XPS 분석에 의해 대역필터의 가장 바깥층이 SiO2층임을 확인할 수 있었다. 결 론: Ti3O5/SiO2 다층박막을 이용하여 30층의 대역투과 필터와 32층의 적외선차단필터를 제작하여 657nm 중심파장에서 8nm 반치폭을 가지며 투과율은 92%인 협대역 H-α imaging 필터를 제작하였으며, 제작된 필터는 설계치와 거의 비슷한 투과율과 반치폭을 가짐을 알 수 있었다.

목적: Al2O3 기판위에 Ge/ZnS 다층박막을 이용하여 중심파장 3450nm에서 반치폭이 약 150nm이고 투과율이 약 95%인 중 적외선 투과필터를 제작하고, 이 필터의 박막 특성을 연구하였다. 방법: 설계에 있어 기판의 한 면은 장파장 투과 필터로,다른 면은 단파장 투과 필터로 코팅한 후 한개의 기판을 중심으로 전면에는 장파장 투과 필터를 후면에는 단파장 투과 필터를 합성하여 중적외선 대역투과 필터를 설계하였다.또한 전자빔 증착장비를 이용하여Ge/ZnS 다층박막 중적외선 대역 투과 필터를 제작한 후, FTIR을 이용하여 투과율을 측정하였고, XRD 데이타로부터 박막의 구조를 분석하였으며, XPS분석으로부터 박막 성분을 확인하였다. 결과: 장파장 투과 필터는 기준파장 2700nm에서 [air/0.490H 0.904L 0.952H 1.086L 1.747H 0.489L (HL)9 H 0.350L 1.616H/Al2O3 substrate]와 같이 설계되었으며, 이때 고굴절률(H)과 저굴절률(L) 물질은 각각 Ge과 ZnS이였다. 또한 단파장 투과필터는 기준파장 4200nm에서 [air/1.261H (LH)7 0.921L 1.306H/Al2O3 substrate]와 같이 설계되었으며, 고굴절률 물질과 저굴절률 물질은 장파장 투과필터와 동일하였다. 설계를 바탕으로 제작한 적외선 투과 필터의 최대파장피크가 제작조건의 변화에 의거하여 이론치에 비해 약 30nm 오른쪽 이동되어 있는 것을 확인하였다. 제작된 필터의 ZnS층이 cubic (111) 결정구조를 가지고 있는 것을 XRD분석으로 확인하였으며, XPS분석에 의해 Ge층이 맨 위층이며 ZnS층과 교번인 다층막으로 형성돼 있다는 것을 확인할 수 있었다. 결론: Al2O3 기판위에 Ge와 ZnS를 교번으로, 한 면은 27층의 장파장 투과필터로 구성되고, 다른 면은 17층의 단파장 투과 필터의 다층박막을 제작하여, 3450nm 중심파장에서 150nm 반치폭을 갖으며 투과율은 약 95%인 중적외선 대역 투과 필터를 제작하였다.