6H-SiC와 W의 계면에서 열처리에 따라 일어나는 반응을 X-선 회절분석 및 투과전자현미경을 이용하여 분석하였다. 연구결과 900˚C까지 새로운 상의 형성은 없었고, 1100˚C와 1300˚C에서 W5Si3와 W2C가 형성되어 서로 혼재되어 있으며 반응하지 않은 W은 없음을 관찰하였다. 이는 이미 보고된 W/β-SiC의 경우와 일치하는 결과로서 이 온도영역에서 W5Si3와 W2C가 안정상임을 시사하고 있다.