RF magnetrom sputtering으로 52/48 PZT target을 사용하여 PZT thin film을 증착시킨후, furnace annealing을 실시하여 Si 기판에서는 550˚C에서부터 안정상인 peroskite구조가 형성되었다. Si기판위에서는 후속열처리시 계면에 상당한 산화막층이 형성되었으며 TiN 기판위에서는 후속열처리시 TiN층은 사라지고 TiO2층이 형성되었다. SiO2기판에서는 후속열처리후에도 안정한 PZT film을 형성시킬 수 있었다. As-depo.시에는 PZT film의 조성비가 균일하게 유지되었으나 750˚C후속열 처리시에는 상당량의 Pb가 Si기판으로 diffusion하였으며 Si도 out-diffusion하였다. 전기적 특성은 10KHz에서 C-V를 측정결과 약 1300정도의유전상수 값이 나왔으나 후속열처리시 표면에 crack이 발생하였다.