본 연구는 오대산 국립공원 내 이탄습지로 알려진 소황병산늪과 질뫼늪을 대상으로 토양의 이화학적 특성을 파악하고, 두 습지의 생성 연대를 추정하기 위하여 토양시료를 채취하여 분석하였다. 소황병산늪과 질뫼늪의 토양 pH는 평균 5.5로 조사 시기 및 식물군락에 따른 유의적인 차이를 보이지 않았다. 총이온 함량은 식물군락에 따른 차이를 보이고 있지만, 각 식물 군락 내에서 조사 시기에 따른 차이를 보이지 않았다. 총이온 함량과 마찬가지로 치환성 양이온인 Na, K과 Mg 함량 또한 식물 군락에 따른 차이를 보였지만, 조사 시기에 따른 함량 차이를 보이지 않았다. 다른 양이온과는 달리 Ca 함량은 식물군락과 조사 시기에 따라 유의한 차이를 나타내었다. 유기물 함량과 총질소 함량은 식물군락에 따라 현저한 차이를 보였으며, 특히 물이끼(Sphagnum palustre)가 분포하는 지점에서 두 습지 모두 낮은 함량을 나타내었다. 위의 결과를 바탕으로 소황병산늪과 질뫼늪은 약산성의 bog 습지로 생각되며, 두 습지 토양의 생성 연대를 분석한 결과 소황병산늪은 AD 100년 그리고 질뫼늪은 AD 1448년으로 조사되어 소황병산늪의 생성연대는 AD 100년 그리고 질뫼늪은 AD 1448년 이전에 습지가 형성되어졌을 것으로 추정된다.

The structure and morphology of epitaxial layer defects in epitaxial Si wafers produced by the Czochralski methodwere studied using focused ion beam (FIB) milling, scanning electron microscopy (SEM), and transmission electron microscopy(TEM). Epitaxial growth was carried out in a horizontal reactor at atmospheric pressure. The p-type Si wafers were loaded intothe reactor at about 800oC and heated to about 1150oC in H2. An epitaxial layer with a thickness of 4µm was grown at atemperature of 1080-1100oC. Octahedral void defects, the inner walls of which were covered with a 2-4nm-thick oxide, weresurrounded mainly by 111 planes. The formation of octahedral void defects was closely related to the agglomeration ofvacancies during the growth process. Cross-sectional TEM observation suggests that the carbon impurities might possibly berelated to the formation of oxide defects, considering that some kinds of carbon impurities remain on the Si surface duringoxidation. In addition, carbon and oxygen impurities might play a crucial role in the formation of void defects during growthof the epitaxial layer.